半导体对发光二极管基本特性研究实验结语和实验体会怎么写

半导体发光二极管是一种极为重要的发光器件,它们不但在电子仪表显示、照明、大规模集成电路、光通信等方面有着广泛的应用,在研究领域也一直倍受人们的关注。本文对半导体发光二极管的正向电特性进行了较为系统的研究,其中的主要工作可以概括如下: 1.对现有的实验仪器TH2819 Precision LCR Meter进行了开发与改进,实现了计算机对它的远程控制,大大提高了测试效率根据实验需要,自行组建了实验装置,包括低频电学测试装置和交流电压调制发光实验装置。 2.采用基于并联模式的交流小信号法,在20Hz至100kHz的频率范围内,对半导体发光二极管的正向交流电特性进行了检测,并对实验结果进行了电压分段讨论。3.用低频电学测试装置,在1Hz至20Hz的频率范围内,对半导体发光二极管的电容特性进行了测试。实验结果表明,所有发光二极管在明亮发光时的电容仍为负值。 4.用交流电压调制发光装置对发光二极管的相对发光强度和发光相角进行了检测,并对相对发光强度和发光相角随频率变化的特征曲线进行了定性解释。 5.在我们测试的频率范围内,半导体发光二极管中普遍存在着负电容现象,并且测试频率越低、正向电压越大,负电容现象就越显著相对发光强度的频率特性曲线表明,影响发光二极管负电容的因素除了载流子的强辐射复合外,还有一个与频率密切相关的相位因子 6.通过对实验结果进行仔细分析,总结出负电容随电压、频率变化关系的经验公式。【关键词】：半导体发光二极管 正向交流小信号法 负电容 低频特性 相对发光强度 发光相角

微电子科学与工程专业解读与就业

学科门类：工学

专 业 类：电子信息类

专业名称：微电子科学与工程

培养目标：

本专业培养德、智、体等方面全面发展，具备微电子科学与工程专业扎实的自然科学基础、系统的专业知识和较强的实验技能与工程实践能力，能在微电子科学技术领域从事研究、开发、制造和管理等方面工作的专门人才。

培养要求：

本专业学生要求在物理学、电子技术、计算机技术和微电子学等方面掌握扎实的基础理论，掌握微电子器件及集成电路的原理、设计、制造、封装与应用技术，接受相关实验技术的良好训练，掌握文献资料检索基本方法，具有较强的实验技能与工程实践能力，在微电子科学与工程领域初步具有研究和开发的能力。

毕业生应获得以下几方面的知识和能力：

1．具有较好的人文社会科学素养、创新精神和开阔的科学视野；

2．树立终身学习理念，具有较强的在未来生活和工作中继续学习的能力；

3．具有较扎实的自然科学基本理论基础；

4．具备微电子材料、微电子器件、大规模集成电路、集成系统、计算机辅助设计、封装技术和测试技术等方面的理论基础和实验技能；

5．了解本专业领域的科技发展动态及产业发展状况，熟悉国家电子信息产业政策及国内外有关知识产权的法律法规；

6．掌握文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法；

7．具有归纳、整理和分析实验结果以及撰写论文、报告和参与学术交流的能力。

主干学科：

微电子学、电子科学与技术。

核心知识领域：

电路理论、电子技术基础、信号与系统、电磁场与电磁波、半导体物理、微电子器件原理、集成电路设计原理、微电子工艺原理、集成电路封装与系统测试、嵌入式系统原理与设计、电子设计自动化基础等。

核心课程示例：

示例一：电路分析原理（64学时）、徽电子与电路基础（48学时）、信号与系统（48学时）、半导体物理（64学时）、电子线路A（48学时）、数字逻辑电路（48学时）、数字集成电路设计（48学时）、集成电路工艺原理（48学时）、半导体器件物理（48学时）、数字集成电路原理（64学时）、电子系统设计（64学时）、集成电路计算机辅助设计（48学时）。

示例二：电路分析理论（48学时）、电磁场理论（48学时）、模拟电子线路（64学时）、信号与系统（64学时）、数字电子线路（64学时）、固体物理学（64学时）、半导体物理学（64学时）、集成电路原理与设计（64学时），半导体器件物理（64学时）、微电子制造科学原理（48学时）。

示例三：核心必修课，包括电路分析（54学时）、模拟电子技术（48学时）、数字电子技术（48学时）、固体物理（48学时）、半导体物理（48学时）、半导体器件物理（64学时）、半导体工艺原理（48学时）；专业方向核心限选课，包括半导体集成电路原理与设计（32学时）、集成电路CAD（32学时）、集成电路工艺设计（32学时）、半导体光电材料（32学时）、半导体光电器件原理（32学时）、半导体光电器件工艺（32学时）。

主要实践性教学环节：

金工实习、电子工艺实习、课程设计、生产实习、毕业设计（论文）等。

主要专业实验：

电路实验、电子技术实验、信号与系统实验、半导体基础实验以及微电子技术专业实验等。

修业年限：四年。

授予学位：工学学士或理学学士。

就业方向：

在微电子科学技术领域从事研究、开发、制造和管理等方面工作。

当半导体受到外界光和热的激励时，其导电能力将发生显著变化！

在纯净的半导体中加入微量杂质时，其导电能力也将发生显著变化！

硅：四价元素，最外层轨道上有4个电子（价电子），由于原子呈电中性，所以硅原子简化模型：+4加圆圈表示，周围围绕着4个价电子。半导体的导电性与价电子有关。

在室温（300K）条件下，被共价键束缚的价电子就会获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，形成电子-空穴对。

在外电场E的作用下，会发生电子和空穴的迁移，但自由电子在迁移的过程中，仍然处于束缚状态，因而可用空穴移动产生的电流来代表束缚电子移动产生的电流。运动的空穴是虚拟出来的，可以将空穴看成是一种带正电荷的粒子。

P型半导体（Positive）：参杂少量三价元素（如：硼，铟，铝），受主杂质（P型杂质），产生空穴，以空穴导电为主（多载子）。

          总空穴浓度 = 离子化的受主原子浓度 + 少子电子浓度           （剩余电荷浓度必为零）

N型半导体（Negative）：参杂少量五价元素（如：磷，砷，锑），施主杂质（N型杂质），产生电子，以自由电子为主（多载子）。

                          总自由电子浓度 = 离子化的施主原子浓度 + 少子空穴浓度              （保持材料的电中性）

一定温度条件下，N型半导体中，空穴浓度与电子浓度的乘积为一常数（本征材料中空穴浓度和电子浓度的乘积）。

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