高性能的TE紧凑型力传感器，国内哪家分销商好？

TE Connectivity (TE) 的 FX29 按钮压缩式力传感器，它是兼具高性能和卓越价值的典范，同时设计尺寸非常紧凑。核心传感元件是一个半导体微机械硅压阻式应变片。 每个力传感器有四个精心排布的 MEMS 裸芯片，这些应变片根据密切匹配的热 / 电工作特性配对，形成一个惠斯通电桥，其中两个应变片测量张力，另外两个应变片测量压缩力，应变片所依附的基板可在受到外界力或扭矩作用时变形。电桥产生的差分电压输出信号与外界施加在 FX29 基板上的力的大小成正比。

作为TE的授权分销商，Heilind（赫联亚太）可为市场提供相关服务与支持，此外Heilind也供应多家世界顶级制造商的产品，涵盖25种不同元器件类别，并重视所有的细分市场和所有的顾客，不断寻求广泛的产品供应来覆盖所有市场。

Heilind（赫联亚太）创立于1974年，全球总部位于美国波士顿，已在中国内度地、香港、新加坡、美国、德国、巴西、加拿大和墨西哥设立了超过40处分部。其主要分问销产品包括互连器件、继电器、风扇、开关和传感器、电路保护与热答管理、套管和线束产品、晶体与振荡器。赫联亚太为电子行业各细分市场的原始设备制造商和合约制造商提供支持,供应来自业界顶尖制造商的产答品,涵盖许多不同元器件类别。

MEMS压力传感器的结构与工作原理及应用技术 MEMS是指集微型压力传感器、执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的微型机电系统。 MEMS压力传感器可以用类似集成电路（IC）设计技术和制造工艺，进行高精度、低成本的大批量生产，从而为消费电子和工业过程控制产品用低廉的成本大量使用MEMS传感器打开方便之门，使压力控制变得简单易用和智能化。

MEMS压力传感器原理：

目前的MEMS压力传感器有硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器，两者都是在硅片上生成的微机械电子传感器。硅压阻式压力传感器是采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的，具有较高的测量精度、较低的功耗，极低的成本。惠斯顿电桥的压阻式传感器，如无压力变化，其输出为零，几乎不耗电。

MEMS硅压阻式压力传感器采用周边固定的圆形的应力杯硅薄膜内壁，采用MEMS技术直接将四个高精密半导体应变片刻制在其表面应力最大处，组成惠斯顿测量电桥，作为力电变换测量电路，将压力这个物理量直接变换成电量，其测量精度能达0.01%～0.03%FS。硅压阻式压力传感器结构如图3所示，上下二层是玻璃体，中间是硅片，硅片中部做成一应力杯，其应力硅薄膜上部有一真空腔，使之成为一个典型的绝压压力传感器。应力硅薄膜与真空腔接触这一面经光刻生成如图2的电阻应变片电桥电路。当外面的压力经引压腔进入传感器应力杯中，应力硅薄膜会因受外力作用而微微向上鼓起，发生d性变形，四个电阻应变片因此而发生电阻变化，破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡，电桥输出与压力成正比的电压信号。

传统的机械量压力传感器是基于金属d性体受力变形，由机械量d性变形到电量转换输出，因此它不可能如MEMS压力传感器那样做得像IC那么微小，成本也远远高于MEMS压力传感器。相对于传统的机械量传感器，MEMS压力传感器的尺寸更小，最大的不超过1cm，使性价比相对于传统“机械”制造技术大幅度提高。　

半导体具有特性有：可掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流性。

半导体材料除了用于制造大规模集成电路之外，还可以用于功率器件、光电器件、压力传感器、热电制冷等用途；利用微电子的超微细加工技术，还可以制成MEMS（微机械电子系统），应用在电子、医疗领域。

半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。通过掺入杂质来改变其导电性能，人为控制它导电或者不导电以及导电的容易程度。

扩展资料

半导体的四种分类方法

1、按化学成分：分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

2、按制造技术：分为集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。

3、按应用领域、设计方法分类：按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。

4、按所处理的信号：可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

参考资料来源：百度百科—半导体

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