MOSFET 击穿的原因以及 击穿后的管子所表现的一些常见现象（或特点）

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的 *** 作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。

击穿的原理就是电场强度（能量）达到一定程度，使原来不能参与导电的电荷变成自由电荷而且数量急剧增长。

齐纳击穿与雪崩击穿只是其两种不同的表现形式而已，原理不赘述，课本上都有。

回复楼下：

别乱讲，只要限制电流与功耗，任何“击穿”都是可恢复的！

实际上掺杂浓度决定了击穿类型。通常，击穿电压<6~7V的属于齐纳击穿，高于此电压的属于雪崩击穿，这是由PN结的内部结构决定的，能不能恢复只是看PN是不是被物理地烧坏，与产生击穿的机制是无关的！

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂质，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率，PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。热击穿与电击穿的不同：电击穿可逆，而热击穿不可逆。

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