怎样理解PN结中"载流子耗尽"这句话

N型半导体中电子为多数载流子，空穴为少数载流子，这在P型半导体中恰好相反。当他们形成PN结时，N区中的电子和P区中的空穴分别向对面扩散，相遇则发生中和，也就是载流子耗尽，最终在PN结中部形成耗尽区，在平衡状态下耗尽区中的自由载流子浓度很低。

显然不一样。

这些区域都存在于两半导体或者半导体-金属接触的地方，空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域，而耗尽层则相反。势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配后形成势垒的区域。

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