讨论功率半导体器件IGBT时提到“元胞”，请问“元胞”是什么？

元胞是IGBT及VDMOSFET器件中的关键结构，如图2。图1是每一个元胞的剖面图。元胞结构是为了降低导通压降。因为元胞结构的布局、几何形状及尺寸、元胞密度及芯片面积决定了导通压降，导通压降又是影响器件输出功率的重要参数。即该结构的功能是最大可能地降低导通压降、增加输出功率。通常每个元胞的电流容量为0.6到0.9mA，一个5A的器件要设计11000到16000个元胞并联使用，所以其中任一元胞的失效都会造成整个器件的失效。图2表示了硅片一角元胞的结构安排情况。 此主题相关图片如下：1.jpg

(一)坚持创新驱动

创新是产业发展的主引擎，综合国力的竞争归根结底是创新的竞争。我国产业创新能力还不强，关键核心技术对外依存度偏高，以企业为主体的技术创新体系不完善，已经成为产业转型升级的重要制约因素。必须深入实施创新驱动发展战略，把创新摆在产业发展的核心位置，把增强技术实力作为构建产业新体系的战略支点，加快完善以企业为主体、市场为导向、产学研相结合的技术创新体系，营造有利于激励创新的制度环境，推动包括科技创新、模式创新、企业创新、市场创新、产品创新、业态创新、管理创新等在内的全面创新，走创新驱动的产业发展道路。

(二)坚持绿色低碳

绿色低碳发展是实现可持续发展、赢得未来的关键举措。近年来，绿色低碳已经成为世界经济发展重要潮流。无论是从顺应国际大势看，还是从破解能源资源和生态环境约束、适应人民群众对绿水青山的期盼看，绿色低碳都是必然选择。我国产业发展尚未从根本上摆脱高投入、高消耗、高排放的粗放模式，工业生产能效、水效与发达国家仍有很大差距。这就要求我们把绿色发展、循环发展、低碳发展作为基本途径，加快推动生产方式绿色化，加快发展绿色产业，构建科技含量高、资源消耗低、环境污染少的产业结构和生产方式，走生态文明的产业发展道路。

(三)坚持两化融合

信息化和工业化深度融合是打造产业竞争新优势、抢占未来发展先机的有效途径。新一代信息技术向各领域的渗透融合，不仅使智能制造成为新型生产方式，也催生了许多新业态和新的商业模式，产业之间的界限日渐模糊，生产者和消费者之间联系更加紧密，融合发展成为产业发展的重要趋势。我国信息化水平还不高，信息化和工业化融合还有巨大潜力。必须继续做好信息化和工业化深度融合这篇大文章，把智能制造作为两化深度融合的主攻方向，促进信息技术向市场、设计、生产等环节渗透，引导制造业朝着分工细化、协作紧密方向发展，推动生产性服务业与制造业在更高水平上融合发展，走两化融合的产业发展道路。

(四)坚持结构优化

调结构、促升级始终是产业发展的中心任务。虽然我国已初步形成了完整的产业体系，但产业结构和空间布局不合理、产能过剩严重、区域发展同质化等问题仍未得到根本解决，是导致我国经济发展资源环境代价过大、质量效益不高的重要原因。随着我国进入新的发展阶段，新的消费需求、新的装备需求、新的服务需求、新的安全保障需求，又对产业结构升级提出了新的更高要求。我们必须大力推进结构调整，加快发展现代服务业，培育壮大战略性新兴产业，推动传统产业向中高端跃升，持续优化产业组织结构和空间布局，走提质增效的产业发展新路。

(五)坚持开放合作

在经济全球化时代，产业要发展壮大，开放合作是必由之路。随着我国依靠低成本要素优势参与国际分工所获得的全球化红利日趋弱化，推动产业、市场、资本和能源资源开放合作，实现高水平引进来和走出去统筹发展，已经成为拓展产业发展新空间、推动产业向价值链高端跃升的必然选择。这就要求我们实施更加积极的开放战略，用全球视野配置产业链和空间分布，不断拓展新的开放领域和空间，提升企业跨国经营能力和国际竞争力，加强产业全球布局和国际交流合作，在优进优出中实现产业层次和竞争力的提升，走开放合作的产业发展道路。

(六)坚持人才为本

人才是构建产业新体系的骨干力量，产业强国一定是人才强国。美国之所以成为最富创造力的制造强国，与其培养并广泛吸纳了大批科技创新型人才和专业技术人才直接相关。具有工匠品质的“德国制造”，也与其培养的众多高素质技能型人才密不可分。与产业发展需求相比，我国不仅缺乏能够适应创新发展的领军人才和高层次技术人才，还缺少优秀的高水平经营管理人才和高素质专业技能人才。必须把人才作为构建产业新体系的根本保障，建立健全科学合理的选人、用人、育人机制，加快培养和吸引产业发展急需的专业技术人才、经营管理人才、技能人才，建设一支素质优良、结构合理的产业人才队伍，推动“人口红利”向“人才红利”转变，走人才引领的产业发展道路。

最近经常有客户问我们，国产MOS管什么品牌好？国产十大MOS管品牌有哪些？哪些国产MOS管品牌可以替代英飞凌MOS管等国外品牌？下面小编就来分析下国产MOS管品牌，探讨下国内外功率MOSFET器件的品牌对比及市场前景。首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。当然还有其他就不一一列举，其实比较起来很难说国产十大MOS管品牌哪个好，这个问题是见仁见智的，我们南山电子授权代理经销长晶科技和新洁能，小编就先说说这两个牌子，长电长晶科技不用多说了，从事电子元器件行业的应该都知道，细分领域多，主做二三极管，MOS管这块儿当然也做，例如CJ3400，CJ2301，CJ3134等都是稳定性较好，认知度较高，市场比较热销的MOS管型号，而新洁能MOS管相较于国内其他功率器件企业，新洁能资金实力并不突出，那么，它是如何在背景强大、资金充裕的国产MOS管竞争对手中脱颖而出？其技术“硬实力”如何？我们来看图说话：

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国产MOS管

多年来，新洁能始终专注MOSFET、IGBT领域，取得了不少突破：是同时拥有“沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“屏蔽栅功率MOSFET ”及IGBT 四大产品平台的本土企业。在中高端功率器件领域，新洁能交出了不错的成绩单：2018年，新洁能位列中国功率半导体行业第六，这是新洁能连续第三个年头跻身全国前十功率半导体企业榜单。随着新洁能逐渐打开市场、提升品牌知名度，其产品亦从单一的MOSFET、IGBT芯片转为更具集成性的功率器件。

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研发技术

最后我们就来谈谈一个客户问的问题：哪些国产MOS管品牌可以替代英飞凌MOS管等国外品牌？国外认知度较高的品牌相信很多客户并不陌生：英飞凌，安森美，仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等。说实话英飞凌MOS管这些都是庞然大物，以高功率MOSFET为例，英飞凌、安森美、意法半导体均已推出先进的屏蔽栅功率和超结功率MOSFET，而国内有能力量产的厂商寥寥无几，且可靠性与适用性离一流厂商仍有差距。

这些都是实际存在的问题，我们想要进步就不能一叶遮目，避而不谈，但是我们相信专注于一个领域不停进步，新洁能已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样表现，与英飞凌、安森美等国际品牌相当。新洁能踌躇满志，计划在未来三年内，进一步树立起中国半导体品牌形象。为此，公司拟筹资数亿，用于以下三方面建设：研发更高性能功率器件、建设半导体封装测试生产线与研发高性能原材料碳化硅。手捧功率半导体领域耀眼的两颗“明珠”——MOSFET、IGBT，新洁能期待成为中高端市场稀缺标杆，与英飞凌、安森美同台竞技。展望未来，新洁能还将致力于攻破更高精尖技术，打造出更好的产品，树立中国半导体品牌形象。南山电子期待与新洁能共同进步，一路同行。

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