用万能表如何检测电力半导体模块的好坏？

用万能表可以测出电力半导体模块的： 电流，电压，电容，电阻，电波长度，幅度和所有电性功能功率。

但半导体模块的好坏是有专用终测程序来读取参数判断，一般万能表只能知道开短路，无法判断好坏。

T352光器件封装-光器件封装工艺之--lot、wafer、bar条、die、chip的区别

光通信女人

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这是个挺有意思的话题，器件封装厂家介绍，“我们有Bar条解理和测试”时，内心常常充满了自豪，也经常会迎来参观访问者们一句“哦”。

今天国华聊几个名词，比如激光器lot、wafer、bar、die、chip都是指哪一种形态？ 顺便聊下为什么激光器特有Bar条这个词。

半导体光芯片或者电芯片，最早都是一盘子做出来，在一个wafer上，或者叫晶元、晶圆。

无论是光模块里的激光器芯片、探测器芯片、驱动器电芯片，都是一盘一盘的做出来的。中间工艺有不同，设备不同，材料不同....

但都是一个圆盘子，早期小文【 [图文1]T218 半导体芯片制造流程与设备】，点击就可以链接。

国华之前小文说一盘子制作完成之后，整体用探针卡测试，把不良品标注（绿

光通信行业有个特殊的中间品，叫Bar条，这是什么神奇的东西呢。

比如，探测器芯片，可以直接给光一测有木有转成电，或者VCSEL是面发射，一盘子每个激光器加电，一测上面有没有光什么波长的光....。

FP、DFB是侧面发光，一盘子码的整齐的，侧面有没有光咱也看不到啊。咋办。

给它一条一条分开，侧面镀上膜做做端面处理，然后测试，好的坏的就可以区分。这个过程叫解理。

解理这个词是用在矿物质晶体上的，咱们光学的基本材料也是晶体啊，像掰巧克力一样，顺着纹理稍稍用力，就解开成一条条的。

“那直接掰成一块块的测试呗”

也不是不可以，羊毛出在羊身上，你让咱供应商一把把薅羊毛可以，一根一根薅羊毛也可以，用多少人费多少时间的问题呗。

能一盘盘测试，就不愿多费人力设备一条条测，能一条一条的测就不愿意一颗一颗的测。谁家的钱也不是大风刮来的。

Bar测好，再整成小芯片，这个小芯片，一颗颗的，有叫“晶粒”、有叫“chip”，也有叫“芯片或光芯片”，还有叫“管芯”...

为甚么有个管字，其实国华也没有找到确切出处, 或者可能是激光器也好，探测器也好，本质是个PN结，也就是二极管的“管”。

管它呢继续聊，做成一颗颗芯片就可以去封装成光器件了。

哦，对，咱们还有一个词，叫lot，其实一炉子（MOCVD）不只出一盘wafer，一般几盘放一起做，叫一个批次，材料的配比相同，工艺流程相同。

这同一批次叫一个lot，有些属性是通的，

做为一个自豪的底层劳动人民，劳动人民的自豪也是分层次的，自豪程度也是略有不同。

比如，越精细的越自豪：

有材料生长能力>晶圆能力>bar条测试能力>TO封装能力>OSA组装能力>光模块设计能力

越上游越自豪(甲方掏腰包的角色）：

运营商>设备制造商>模块制造商>光器件制造商>芯片提供商>辅材配料商

资源越稀缺越自豪：

光芯片制造能力>电芯片制造能力>封装能力>芯片使用者

在国华的看法里，一个产业良性共同发展才是大道之理，共同把一个蛋糕做精美，无论做蛋糕的师傅、卖蛋糕的店员、买蛋糕的美女都会开心、掏腰包的大哥略忧伤。

一个良性产业各自做各自专业的事，多赢，成就的是一个大环境大氛围。

君不见相机产业链的翘楚‘柯达’不是败给竞争对手，而是败给另一个产业，手机业的崛起，使得每一个手机都成为了相机。

在同一个产业内，竞争是避免不了的，如果站在对手的角度审视自己、发现问题解决问题也是提升自身的一种途径，有序的竞争与协作是个好事情。

我家大哥在家总想欺负欺负我，树立一种权威，他多歇着我多干活，他管攒钱我管挣钱。家庭话语权这是红果果的竞争啊，可是谁敢揍一下国华，我家大哥能跟他玩儿命，这也是红果果的协作。

国华今天班了个门弄了个斧，见谅见谅。

检测IGBT好坏简便方法：

1、判断极性。首先将万用表拨在R&TImes1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。

其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。

2、判断好坏。将万用表拨在R&TImes10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）。

这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。

3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R&TImes10KΩ挡，因R&TImes1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

如果IGBT为好的，IGBT模块测量数据为零。

扩展资料

检测IGBT好坏时在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；而且要注意安全。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

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