多晶硅属于导体还是绝缘体？

它是半导体啊，也就是根据条件的变化，能同时显现出导体与绝缘体两种性质。

当栅极加电压之后，会发生载流子本征激发，能导电。对外界，由于制造工艺中的侧墙生长作用，硅栅外部生长绝缘氧化膜，能减少漏电流产生。同时，对于P阱和N阱以及金属线，材质上的不用可以很好地起到隔绝电迁移的作用。

13003c是一种高反压低放大倍数的NPN型开关三极管。

NPN型开关三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地）。

当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。

扩展资料

NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流 放大和开关作用。

三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。

当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。

参考资料来源：百度百科-NPN型三极管

PIP电容的工艺方法审中-实审

申请号：201610470548.1申请日：2016-06-24

摘要：本发明公开了一种PIP电容的工艺方法，包含如下步骤：步骤1，在浅槽隔离结构上淀积M‑Poly并回刻；步骤2，在M‑Poly上再依次进行氧化层淀积及一层氮化硅的淀积；步骤3，回刻氮化硅，湿法刻蚀氧化层；步骤4，淀积高压氧化层；步骤5，淀积沟槽栅多晶硅；步骤6，沟槽栅多晶硅回刻。本发明通过淀积氧化层和氮化硅形成侧墙来增厚M‑Poly侧壁底端的介质层，在几乎不减小电容的情况下提高击穿电压，减小漏电流。

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

地址：201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

发明(设计)人：林益梅

主分类号：H01L21/02(2006.01)I

分类号：H01L21/02(2006.01)I H01L23/64(2006.01)I

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