另外一个严重的问题是刻蚀对材料的损伤，有时这种损伤在SEM下甚至根本就看不见。“对于密度较高的氧化硅、FSG来说，刻蚀只是去除了表面上的材料，不会对内部结构造成损伤。”Mills说。“但是，当你对具有不同化学性质的结构或材料进行刻蚀时，很难找到合适的化学反应使所有层的刻蚀速度都保持一致。对于同时具有有机和无机功能或组成的混合材料来说，最好能够找到合适的刻蚀气体，使刻蚀过程中对Si-键和C-键的攻击速度与它们在ILD材料中的浓度成比例。不幸的是，实际上很难使这两种反应按照相同的速度进行。更严重的问题是在进行下一步湿法清洗或阻障层（barrier）沉积工艺之前，你不知道会造成多么严重的损伤。因此，当发现清洗或barrier沉积问题时，有时其原因要追溯到好几步之前的刻蚀工艺。”
有时，你甚至会发现OSG刻蚀结构非常完美，但是清洗后CD变化50%的情况。对于barrier沉积工艺来说，刻蚀工艺形成的侧壁表面结构可以带来两种截然不同的效果：也许很幸运，也许是一场恶梦。如果其表面结构平整连续，而且没有断痕或倒置的侧壁斜面结构，barrier沉积的工艺窗口就很大。对于氧化硅或FSG双嵌入式结构来说，这是非常正常的情况，因为刻蚀选择比很高。“我们正在研究如何避免侧壁表面结构上所谓“veiling”、“bat wings”和微观沟道等缺陷。barrier沉积和ECD工程师非常害怕这些问题。”Mills说，“低密度结构的侧壁表面具有1nm、2nm和4nm等差异（不均匀性），这也会对barrier工艺造成挑战。”
“没有人能同时解决所有问题。我们必须根据相应材料进行特别的选择和处理。”Tegal公司市场部总监John Almerico说，“我们在铁电材料的刻蚀方面具有丰富的经验，因此
在高k领域我们具有一定的技术优势。钝化层（passivation）刻蚀是我们的另一专长，对这些非关键层电介质我们可以采用非常成熟的技术进行刻蚀，因此具有明显的成本优势。此外，我们非常关注将电介质材料用作硬掩膜层的发展趋势，这是一个很新的领域。”
刻蚀工艺的变化与转折
随着半导体向193nm光刻的发展，电介质刻蚀也面临着新的转折。Lam Research公司电介质刻蚀产品部副总裁Jeff Mark介绍说，这一转折发生在逻辑器件和存储器的90nm开发和130nm大批量生产阶段，并促进了存储器生产向110nm技术的迈进。
前段（FEOL）的挑战主要在于刻蚀纵宽比的增大，特别是DRAM电容器结构。当半导体技术从110nm转移到90nm时，很难刻蚀出那么深（>2.5um）的结构，同时还保持光刻胶的完整性和选择比，并获得预期的刻蚀结构和性能。人们正在寻求各种替代技术例如牺牲掩膜层技术（包括多晶硅或多层抗刻蚀掩膜层）以突破这些限制。后段的主要挑战则在于各种低k材料的应用。半导体正在向碳掺杂氧化硅、OSG等材料发展，其中有些使用了有机低k材料。
193nm光刻胶的工艺窗口和使用条件明显比248nm光刻胶更加苛刻。193nm光刻胶必须很薄。“我们如何才能做到高选择比，刻蚀出又深又小的特征结构，同时保证孔洞或线条边缘表面的平整性呢？”Marks问道。“你必须确保线条或孔洞边缘没有皱纹等缺陷。但是你所使用的光刻胶比以前的更加容易受到损伤，对离子轰击也更加敏感。”
Lam对双频率等离子体进行了优化，从而可以调整离子能量和尽量减小对光刻胶的损伤。“我们还对反应器内的气体反应和 *** 作方法进行了深入研究，改善了光刻胶的选择性。”Marks说。“尽量避免多层光刻胶或多晶硅硬掩膜的使用可以大大节省成本。我们可以利用很薄的193nm光刻胶刻蚀出很深的结构，在有些情况下甚至可以取消多层硬掩膜的使用。”典型的多层光刻胶（MLR）结构由很薄一层193nm光刻胶、OSG或其它电介层以及一层厚光刻胶组成。最上层的193nm光刻胶用于定义图形，然后将图形转移到下面的氧化硅和厚光刻胶层作为最终刻蚀用的掩膜层。
在后段，为了缩短工艺周期和降低成本，原位（in situ）处理的概念正被越来越多的人所接受。“人们希望能够在同一反应器中对多层薄膜进行处理，并且避免记忆效应影响下一层材料的刻蚀。”Marks说。“有些65nm或45nm刻蚀方案非常繁琐，需要在10个不同的反应器中进行10层不同的刻蚀步骤，这不太现实。我们发现限制等离子体的空间分布可以尽量减小记忆效应，双频结构则可以对聚合物进行有效的处理，从而实现某些薄膜层的原位处理。”
刻蚀过程中，会在低k材料表面形成一层保护性阻隔层。“我们需要保留这层阻隔层，但是同时又要尽量降低反应器内的氟含量。”Marks说。“有好几种原位处理方法可供选择：你可以先对晶片进行刻蚀，然后清理反应器中残留的聚合物，最后进行光刻胶的去除。但是，由于晶片仍然在反应器中未取出来，因此清理反应器中残留聚合物的同时也会去除晶片上的保护性阻隔层。另外一种方法是尽可能减少反应器内部的聚合物沉积量。当你用氧等离子体或氢等离子体进行光刻胶去除的同时也就完成了反应器中残留聚合物的清理，使保护性阻隔层可以保持较长时间，尽可能减小对刻蚀材料的损伤程度。”
保持生产过程中的CD控制也开始成为问题。过去，CD控制曾经是栅极刻蚀的一个难题，现在电介质刻蚀也开始出现同样的问题。“我们必须仔细监控后段双嵌入式结构的CD控制和前段栅极的CD控制。许多器件制造商仍然使用电介质刻蚀设备进行栅极硬掩膜层的刻蚀，此时CD控制应该更加严格。只要看一下接触孔的密度有多高，你就知道CD控制应该有多严格，否则一定会出现问题。
到90nm和65nm工艺时，CD变动范围要求必须控制在几个纳米之内。“晶片内部、晶片之间和不同反应器之间的CD重复性必须小于5nm。”Marks说。“保持CD的高度可重现性是非常必要的。为了做到这一点，唯一的办法是我们可以灵活控制工艺条件，实现对晶片范围内CD的实时调整。有时，光刻结果并不是很好，这就要求我们能够在刻蚀工艺过程中对CD变动进行相应的补偿。”
Tokyo Electron Ltd.公司BEOL产品市场部经理Eric Lee说：“刻蚀是最后一步工艺。当光刻结果不符合规格时，下面的刻蚀工艺必须能够提供解决方案，使最终的刻蚀结果能够达到设计的预想结果。要做到这一点必须要有扎实深入的R&D，特别是采用浸入式光刻系统时。”Lee认为高密度等离子体对后段刻蚀相当有害。目前，几乎所有制造商采用的都是中密度等离子体刻蚀设备。他说：“几乎每个人都在尝试采用至少两个以上的电源控制和低电子温度化学反应，降低等离子体造成的损伤
产品的装配工艺是什么,关于装配工艺有哪些过程.我给大家整理了关于产品装配工艺流程，希望你们喜欢!
产品装配工艺流程1.制定装配线工艺的基本原则及原始资料
合理安排装配顺序，尽量减少钳工装配工作量，缩短装配线的装配周期，提高装配效率，保证装配线的产品质量这一系列要求是制定装配线工艺的基本原则。制定装配工艺的原始资料是产品的验收技术标准，产品的生产纲领，现有生产条件。
2.装配线工艺规程的内容
分析装配线产品总装图，划分装配单元，确定各零部件的装配顺序及装配方法确定装配线上各工序的装配技术要求，检验方法和检验工具选择和设计在装配过程中所需的工具，夹具和专用设备确定装配线装配时零部件的运输方法及运输工具确定装配线装配的时间定额。
3.制定装配线工艺规程的步骤
首先分析装配线上的产品原始资料确定装配线的装配方法组织形式划分装配单元确定装配顺序划分装配工序编制装配工艺文件制定产品检测与试验规范。
注意事项
1.保证产品质量延长产品的使用寿命。
2.合理安排装配顺序和工序，尽量减少手工劳动量，满足装配周期的要求提高装配效率。
3.尽量减少装配占地面积，提高单位面积的生产率。
4.尽量降低装配成本。装起来，并经过调试、检验使之成为合格产品的过程。
电子产品装配步骤
1. 组装特点
电子产品属于技术密集型产品，组装电子产品的主要特点是：
(1)组装工作是由多种基本技术构成的。如元器件的筛选与引线成形技术线材加工处理技术焊接技术安装技术质量检验技术等。
(2)装配 *** 作质量，在很多情况下，都难以进行定量分析，如焊接质量的好坏，通常以目测判断，刻度盘子、旋钮等的装配质量多以手感鉴定等。
(3)进行装配工作的人员必须进行训练和挑选，不可随便上岗。
2. 组装技术要求
(1)元器件的标志方向应按照图纸规定的要求，安装后能看清元件上的标志。若装配图上没有指明方向，则应使标记向外易于辨认，并按照从左到右、从下到上的顺序读出。
(2)安装元件的极性不得装错，安装前应套上相应的套管。
(3)安装高度应符合规定要求，同一规格的元器件应尽量安装在同一高度上。
(4)安装顺序一般为先低后高，先轻后重，先易后难，先一般元器件后特殊元器件。
(5)元器件在印刷板上的分布应尽量均匀，疏密一致，排列整齐美观。不允许斜排、立体交叉和重叠排列。
(6)元器件的引线直径与印刷焊盘孔径应有0.2~0.4mm的合理间隙。
(7)一些特殊元器件的安装处理，MOS集成电路的安装应在等电位工作台上进行，以免静电损坏器件。发热元件要与印刷板面保持一定的距离，不允许贴面安装，较大元器件的安装应采取固定(绑扎、粘、支架固定等)措施。
6.1.2组装方法
1.功能法
功能法是将电子产品的一部分放在一个完整的结构部件内。
2.组件法
组件法是制造一些在外形尺寸和安装尺寸上都统一的部件，这时部件的功能完整性退居到次要地位。
3.功能组件法
功能组件法是兼顾功能法和组件法的特点，制造出既有功能完整性又有规范化的结构尺寸和组件。
6.1.3连接方法
电子产品组装的电气连接，主要采用印制导线连接、导线、电缆以及其它电导体等方式进行连接。
6.1.4布线及扎线
1.配线
电子产品常用的电线和电缆有裸线、电磁线、绝缘电线电缆和通信电缆四种。
选用导线主要考虑流过导线的电流，这个电流的大小，决定了导线的芯线截面积的大小。
使用不同颜色的导线便于区分电路的性质和功能以及减少接线的错误。
2.布线原则
(1)应减小电路分布参数。
(2)避免相互干扰和寄生耦合。
(3)尽量消除地线的影响。
(4)应满足装配工艺的要求 。
3.布线方法
(1)布线处理。
(2)布线的顺序。
6.2 印制电路板的组装
6.2.1组装工艺
1.元器件引线的成形
引线成形基本要求如下图所示。图中A≥2mmR≥2dh：图 (a) 为0~2 mm ，图 (b) h≥2 mm C=np(p为印制电路板坐标网格尺寸，n为正整数)。
(a)水平安装
(a)水平安装 (b)垂直安装
2.元器件的安装方法
3.元器件安装注意事项
(1)元器件插好后，其引线的外形处理有弯头的，有切断成形等方法，要根据要求处理好，所有弯脚的弯折方向都应与铜箔走线方向相同。
(2)安装二极管时，除注意极性外，还要注意外壳封装，特别是玻璃壳体易碎，引线弯曲时易爆裂对于大电流二极管，有的则将引线体当作散热器，故必须根据二极管规格中的要求决定引线的长度。
(3)为了区别晶体管的电极和电解电容的正负端，一般是在安装时，加带有颜色的套管区别。
(4)大功率三极管一般不宜装在印制板上。因为它发热量大，易使印制板受热变形。 组装工艺流程
1.手工方式
待装元件→引线整形→插件→调整位置→剪切引线→固定位置→焊接→检验
1.整机组装的结构形式
(1)插件结构形式。
(2)单元盒结构形式。
(3)插箱结构形式。
(4)底板结构形式。
(5)机体结构形式。
2.整机结构的装配工艺性要求
(1)结构装配工艺应具有相对的独立性。
(2)机械结构装配应有可调节环节，以保证装配精度。
(3)机械结构装配中所采用的连接结构，应保证安装方便和连接可靠。
(4)机械结构装配应便于产品的调整与维修。
(5)线束的固定和安装要有利于组织生产，并使整机装配整齐美观。
(6)要合理使用紧固零件。
(7)提高产品耐冲击，振动的措施。
(8)应保证线路连接的可靠性。
(9) *** 用调谐机构应能精确、灵活和匀滑地工作，人工 *** 作手感要好。
1.整机联装的内容
整机联装包括机械的和电气的两大部分工作，具体地说，总装的内容，包括将各零、部、整件(如各机电元件、印制电路板、底座、面板以及装在它们上面的元件)按照设计要求，安装在不同的位置上，组合成一个整体，再用导线(线扎)将元，部件之间进行电气连接，完成一个具有一定功能的完整的机器，以便进行整机调整和测试。
2.整机联装的基本原则
整机联装的目标是利用合理的安装工艺，实现预定的各项技术指标。整机安装的基本原则是：先轻后重，先小后大、先铆后装，先装后焊、先里后外、先下后上、先平后高、易碎易损件后装，上道工序不得影响下道工序的安装。安装的基本要求是牢固可靠，不损伤元件，避免碰坏机箱及元器件的涂复层，不破坏元器件的绝缘性能，安装件的方向，位置要正确。
3.整机联装的工艺过程
整机联装的工艺过程为：
准备→机架→面板→组件→机芯→导线连接→传动机构→总装检验→包装。 微组装技术简介
微组装技术(MPT)是组装技术发展的最新阶段。从工艺技术来说它仍属于“组装”范畴，但与我们通常所说的组装相差甚远，我们前面讲述的一般工艺过程是无法实现的。这项技术是在微电子学、半导体技术特别是集成电路技术以及计算机辅助系统的基础上发展起来的，是当代最先进的组装技术。
6.4.2微组装技术层次的划分
1.多芯片组件(MCM)。
2.硅大圆片组装(WSI/HWSI)。
3.三维组装(3D)。
电子产品装配步骤电子产品装配工作主要是指钳装、电气安装和装配后质量检验。生产实践证明，良好的电接触是保证电子产品质量和可靠性的重要因素，电子产品发生故障跟电气安装的质量有密切关系。例如，焊接时若出现假焊、虚焊、错焊和漏焊，将会造成接线松脱、接点短路或开路高频装置中如果接线过长、布线不合理，将会造成高频电路工作不稳定或不正常。因此，要使装配出来的产品达到预期的设计目的，务必十分注重装配质量，生产 *** 作人员必须严肃认真做好每一道细小的生产环节。 装配工作是一项复杂而细致的工作。电子产品装配原则是先轻后重、先铆后装、先里后外、先平后高，上道工序不得影响下道工序。
1 、装配前的技术准备和生产准备
(1) 技术准备工作
技术准备工作主要是指阅读、了解产品的图纸资料和工艺文件，熟悉部件、整机的设计图纸、技术条件及工艺要求等。
(2) 生产准备工作
a. 工具、夹具和量具的准备。
b. 根据工艺文件中的明细表，备好全部材料、零部件和各种辅助用料。 2 、装配 *** 作的基本要求
(1) 零件和部件应清洗干净，妥善保管待用。
(2) 备用的元器件、导线、电缆及其它加工件，应满足装配时的要求。例如，元器件引出线校直、弯脚等。
(3) 采用螺钉连接、铆接等机械装配的工作应按质按量完成好，防止松动。
(4) 采用锡焊方法安装电气时，应将已备好的元器件、引线及其它部件焊接在安装底板所规定的位置上，然后清除一切多余的杂物和污物，送交下道工序。 电子产品装配工艺的技术总要求
技术要求包括两个方面：一是机械装配
二是电气安装。
(1) 机械装配的工艺要求
a. 螺钉连接
根据安装图纸及说明选用规定的螺钉、垫圈，采用合适工具把它拧紧在指定的位置上。
b. 铆钉连接
装配图纸上一些需要连接并不再拆动的地方常采用铆钉连接。在铆接前应按图纸要求选 用铆钉，铆接时应符合铆加工的质量标准。
c. 胶接及其他
对需要胶接的部件，要选用符合胶接的粘合剂，并按粘合剂工艺要求胶接好连接件。
电气安装的工艺要求 电气安装应确保产品电气性能可靠、外形美观而且整齐、一致性好。
电气安装的工艺要求是：
a. 对电气安装所用的材料、元器件、零部件和整件均应有产品合格证对部分元器件应按抽检规定进行抽检，在符合要求的情况下才准许使用。否则不得用于安装使用。
b. 装配时，所有的元器件，应做到方向一致，整齐美观标志面应朝外，以便于观察和检验。
c. 被焊件的引出线、导线的芯线与接头，在焊接前应根据整机工艺文件要求，分别采用插接、搭或绕接等方式固定。对于一般家用电器，较多使用插接方式焊接。元器件引出线、裸导线不应有切痕或钳伤。
问题一：微电子器件和微电子工艺有什么区别 微电子器件（Microelectronic Devices）主要是指能在芯片上实现的电阻、电容、晶体管，有的特殊电路也将用到电感。 一种说法是，微电子器件常是指芯片中的线宽在一微米上下的器件，更小的称作纳米电子器件zh. *** /...%BB%B6
微电子工艺技术：在半导体材料芯片上采用微米级加工工艺制造微小型化电子元器件
和微型化电路技术
wenku.baidu/...kBjGcm
我的答题到此结束，谢谢
希望我的答案对你有帮助
问题二：电子五大元件是什么 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。
问题三：海关HS编码中8542900000其他集成电路及微电子组件零件具体包括哪些？谢谢回答。 太多了，看你怎么归类了，手边有10年的海关税则建议你查看下相关项目的解释，你问的太笼统了 以下编码仅供参考：
85429000.00其他集成电路及微电子组件零件
85429000.00非接触式IC卡封装载带
85429000.00非接触卡天线层
85429000.00 IC卡基
85429000.00 LCD驱动电路
85429000.00 MTC全控模块梁
85429000.00表面封装型压力芯件
85429000.00半导体分离器件
85429000.00半导体集成电路封装外壳
85429000.00 TO型集成电路外壳
85429000.00集成电路封装压力芯件
85429000.00集成电路盖板
85429000.00集成电路管座
85429000.00集成电路接触片
85429000.00集成电路框架
85429000.00集成电路引线框架
85429000.00集成电路散热片
85429000.00混合集成电路管脚
85429000.00混合集成电路外壳
85429000.00电话机电路
85429000.00电力电子器件组合件
85429000.00电视机电路
85429000.00电子模块
85429000.00电子元件产品
85429000.00铁基板
85429000.00音响电路
85429000.00引线脚
85429000.00引线
85429000.00遥控器电路
85429000.00模块用铝型材散热器
85429000.00模块针
85429000.00奶键合金丝
85429000.00模板插槽
85429000.00接触式IC卡封装载带
问题四：集成电路微电子组件零件PCB,税号是？申报要素 商品编号 商品名称 最低税率 普通税率 出口税率 增值税率 消费税率 计量单位 监管条件 品目8541所列货品零件 0.00000 0.30000 0.00000 0.17000 0.00000 千克 税号8541所列货品的零件 申报要素 ? 1、品名；2、用途（适用机型）；。
问题五：什么叫微电子产品？ 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。 微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的，第二次大战中、后期，由于军事需要对电子设备提出了不少具有根本意义的设想，并研究出一些有用的技术。1947年晶体管的发明，后来又结合印刷电路组装使电子电路在小型化的方面前进了一大步。到1958年前后已研究成功以这种组件为基础的混合组件。集成电路的主要工艺技术，是在50年代后半期硅平面晶体管技术和更早的金属真空涂膜学技术基础上发展起来的。19614年出现了磁双极型集成电路产品。1962年生产出晶体管――晶体管理逻辑电路和发射极藉合逻辑电路。MOS集成电路出现。由于MOS电路在高度集成方面的优点和集成电路对电子技术的影响，集成电路发展越来越快。70年代，微电子技术进入了以大规模集成电路为中心的新阶段。随着集成密度日益提高，集成电路正向集成系统发展，电路的设计也日益复杂、费时和昂贵。实际上如果没有计算机的辅助，较复杂的大规模集成电路的设计是不可能的。70年代以来，集成电路利用计算机的设计有很大的进展。制版的计算机辅助设计、器件模拟、电路模拟、逻辑模拟、布局布线的计算辅助设计等程序，都先后研究成功，并发展成为包括校核、优化等算法在内的混合计算机辅助设计，乃至整套设备的计算机辅助设计系统。集成电路制造的计算机管理，也已开始实现。此外，与大规模集成和超大规模集成的高速发展相适应，有关的器件材料科学和技术、测试科学和计算机辅助测试、封装技术和超净室技术等都有重大的进展。 电子技术发展很快，在工艺技术上，微细加工技术，如电子束、离子束、X射线等复印技术和干法刻蚀技术日益完善，使生产上在到亚微米以至更高的光刻水平，集成电路的集成弃将超大型越每片106―107个元件，以至达到全图片上集成一个复杂的微电子系统。高质量的超薄氧化层、新的离子注入退火技术、高电导高熔点金属以其硅化物金属化和浅欧姆结等一系列工艺技术正获得进一步的发展。在微电子技术的设计和测试技术方面，随着集成度和集成系统复杂性的提高，冗余技术、容错技术，将在设计技术中得到广泛应用。
问题六：图中是什么元件 10分 您好！
左图是ST（意法微电子）公司的微控芯片（MCU），如果更换新件，需要写入运行程序；右图是电感，一般是用于DC/DC转换，丝印101是指电感量100uH。
还有问题继续提问。
问题七：什么是军用微电子技术 其实就是能够抵抗战场的苛刻严厉环境，保证高可靠性的微电子技术，在电子工艺流程和封装上进行改进，并且不计成本。一般在可靠性物理里讲的比较多。
问题八：多芯片组件 MCM一般采用DCA（裸芯片直接安装技术）或CSP，可使电路图形线宽达到几微米到几十微米的等级。在MCM基础上设计的与外部电路连接的扁平引线间距为0.5mm，把几块MCM利用SMT组装在普通的PCB上即可实现系统的功能。它是为适应现代电子系统短、小、轻、薄和高速、高性能、高可靠性、低成本的发展方向而在多层印制板(PCB)和表面安装技术(SMT)的基础上发展起来的新一代微电子封装与组装技术，是实现系统集成的有力手段。 MCM组装的是超大规模集成电路和专用集成电路的裸片，而不是中小规模的集成电路，技术上MCM追求高速度、高性能、高可靠性和多功能，而不象一般混合IC技术以缩小体积重量为主。多芯片组件技术的基本特点(1)MCM是将多块未封装的IC芯片高密度安装在同一基板上构成的部件，省去了IC的封装材料和工艺，节约了原材料，减少了制造工艺，缩小整机／组件封装尺寸和重量。(2)MCM是高密度组装产品，芯片面积占基板面积至少20％以上，互连线长度极大缩短，封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化。(3)MCM的多层布线基板导体层数应不小于4层，能把模拟电路、数字电路、功率器件、光电器件、微波器件及各类片式化元器件合理有效地组装在封装体内，形成单一半导体集成电路不可能完成的多功能部件、子系统或系统。使线路之间的串扰噪声减少，阻抗易控，电路性能提高。(4)MCM避免了单块IC封装的热阻、引线及焊接等一系列问题，便产品的可靠性获得极大提高。(5)MCM集中了先进的半导体IC的微细加工技术，厚、薄膜混合集成材料与工艺技术，厚膜、陶瓷与PCB的多层基板技术以及MCM电路的模拟、仿真、优化设计、散热和可靠性设计、芯片的高密度互连与封装等一系列新技术，因此，有人称其为混合形式的全片规模集成WSI(Wafer-scaleIntegration)技术。多芯片组件技术的基本类型根据多层互连基板的结构和工艺技术的不同，MCM大体上可分为三类：①层压介质MCM(MCM-L)；②陶瓷或玻璃瓷MCM(MCM-C)；③硅或介质材料上的淀积布线MCM(MCM-D)。表1给出MCM三种基本类型的结构、材料和性能。MCM-L是采用多层印制电路板做成的MCM，制造工艺较成熟，生产成本较低，但因芯片的安装方式和基板的结构所限，高密度布线困难，因此电性能较差，主要用于30MHz以下的产品。MCM-C是采用高密度多层布线陶瓷基板制成的MCM，结构和制造工艺都与先进IC极为相似，其优点是布线层数多，布线密度、封装效率和性能均较高，主要用于工作频率(30-50)MHz的高可靠产品。它的制造过程可分为高温共烧陶瓷法(HTCC)和低温共烧陶瓷法(LTCC)，由于低温下可采用Ag、Au、Cu等金属和一些特殊的非传导性材料，近年来，低温共烧陶瓷法占主导地位。MCM-D是采用薄膜多层布线基板制成的MCM，其基体材料又分为MCM-D／C(陶瓷基体薄膜多层布线基板的MCM)、MCM-D／M(金属基体薄膜多层布线基板的MCM)、MCM-D／Si(硅基薄膜多层布线基板的MCM)等三种，MCM-D的组装密度很高，主要用于500MHz以上的产品。三维多芯片组件通常所说的多芯片组件都是指二维的(2D-MCM)，它的所有元器件都布置在一个平面上，不过它的基板内互连线的布置已是三维。随着微电子技术的进一步发展，芯片的集成度大幅度提高，对封装的要求也更加严格，2D-MCM的缺点也逐渐暴露出来。目前，2D-MCM组装效率最高可达85％，已接近二维组装所能达到的最大理论极限，这已成为混合集成电路持......>>
问题九：微电子元器件五大基础材料是什么？ 硅
磷
硼
铝
铜
问题十：微电子学与固体电子学是干嘛的？ 垃圾 千万别学 微电子学 简单的给你讲 大致分两个研究方向 一个是半导体 一个是集成电路设计 学半导体 基本就是物理或者化学或者材料 这个电子绝对跟你认为的电子不是一个东西集成电路设计 分为数字设计和模拟设计 这个还不错 模拟设计很难 数字设计跟通信工程 差不多了 集成电路制造也算是一个吧 千万别进入这行...以上纯粹是解释给 对这个专业不了解的人的大白话 这个专业报考的时候要慎重 集成电路设计还不错 有的学校比如说吉林大学 他的微电子学 就是半导体 光电 材料神马的 老坑爹了
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