半导体工艺流程中的前段（F）后段（B）一般是如何划分的，为何要这样划分？

芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）。

测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。

按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。

此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用。

但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。

但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

扩展资料：

（1）元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、锡的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前， 只有硅、锗性能好，运用的比较广，硒在电子照明和光电领域中应用。

硅在半导体工业中运用的多，这主要受到二氧化硅的影响，能够在器件制作上形成掩膜，能够提高半导体器件的稳定性，利于自动化工业生产。

（2）无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料，当然也有多种元素构成的半导体材料，主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族；II族与IV、V、VI、VII族；III族与V、VI族；IV族与IV、VI族。V族与VI族；

VI族与VI族的结合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影响，不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中，InP制造的晶体管的速度比其他材料都高，主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料，主要用于LED等方面。

参考资料来源：百度百科-半导体

封装大致分为两类：DIP直插式和SMD贴片形式。具体有：

1、PFPF（plastic flat package）

塑料扁平封装。塑料QFP 的别称（见QFP）。

2、MSP（mini square package）

QFI 的别称（见QFI），在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。

3、LQFP（low profile quad flat package）

薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。

4、piggy back

驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP. QFP. QFN 相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认 *** 作。

5、QTCP（quad tape carrier package）

四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用TAB 技术的薄型封装（见TAB. TCP）。

扩展资料：

举例分析封装类型：

元器件的封装都是有国际标准的，不同的元器件封装形式不一样，即使是同一个器件也可以有多个封装，例如：

1、贴片三极管：SOT23－2

三极管有三个脚，发射极－基极－集电极，它的封装就是这三个腿在PCB板上的1：1投影，即，将贴片三极管平放在PCB上后，焊盘与三极管的三个腿正好重合。

2、贴片电阻封装：0805

贴片电阻有多种封装规格，如1210，0805，0603，0402等。

3、单片机封装：LQFP48

相信STC89C51单片机大家都见过，对DIP－40的封装也都了解，下面看LQFP－48的封装，这种封装形式有4个边，每个边是12个引脚，一共是48个。

参考资料来源：百度百科—封装形式

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