NC是NOT CONNECTED的缩写,即空脚。
芯片中NC引脚没有任何用途,只是限于封装形式,该引脚必须存在。
例:三个框图都是相同功能的集成运放,左边的图8个管脚都被用到,无NC管脚;右边和下边的图示,也只有8个管脚是有用的,多余的都是NC。
NC(normal close)是:常闭触点。
在常态(不通电)的情况下处于断开状态的触点叫常开触点。
在常态(不通电、无电流流过)的情况下处于闭合状态的触点叫常闭触点。
常开——NO(normal open)通常情况下是断开状态,即线圈未得电的情况下断开的。
常闭——NC(normal close)通常情况下是关合状态,即线圈未得电的情况下闭合的。
扩展资料:
电气元件分类:
元件也许是被动或有源的(passive or active):
1.被动元件(Passive components)是一种电子元件,在使用时它们没有任何的增益或方向性。在电路分析(Network analysis)时,它们被称为电力元件(Electrical elements)。
2.有源元件(Active components)是一种电子元件,相对于被动元件所没有的,在使用时它们有增益或方向性。它们包括了半导体器件与真空管。
参考资料:常开常闭触点百度百科
对于非简并的n型半导体,如果把导带中的所有可能被电子占据的能级都归并到导带底(Ec)这一条能量水平线上(设归并到一起的能级的密度为Nc),那么电子占据各条能级的几率就都将一样(等于exp[-(Ec-Ef)/(kT)]),于是就可直接写出导带电子的浓度与Fermi能级的关系为no=Nc exp[-(Ec-Ef)/kT]. 当然,这时归并到导带底的有可能被占据的能级的密度(Nc)必然不等于整个导带的能级密度,则称Nc为导带的有效能级密度(或者有效状态密度).因为温度越高,电子的能量就越大,则在导带中有可能占据的能级数目就越多,故有效能级密度与温度T有关;仔细的分析可给出为Nc=2(2πm*kT/h2)3/2,式中的h是Planck常数,m*是电子的所谓状态密度有效质量,T是绝对温度. 在室温下,对于Si,Nc=2.8×1019cm–3;对于GaAs,Nc=4.7×1017cm–3.可见,Nc比晶体的原子密度(5×1022 cm–3)要小得多.这就表明,在非简并情况下,载流子只是占据导带中的很少一部分能级(这时电子基本上就处在导带底附近).欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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