irf9z24npbf是p还是n

PFP1010E TO-220封装，60V，80A三极管可以代替IRF1010EPBF。 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

一、基本概念

它最主要的功能是电流放大（模拟电路）和开关作用（数字电路）。

三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。

三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。

符号的第一部分“3”表示三极管。符号的第二部分表示器件的材料和结构：A——PNP型锗材料；B——NPN型锗材料；C——PNP型硅材料；D——NPN型硅材料。符号的第三部分表示功能：U——光电管；K——开关管；X——低频小功率管；G——高频小功率管；D——低频大功率管；A——高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。如：3DG12B、3AX21。

三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数 b。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流b 倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。

三极管还可以作电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器。

二、三极管的分类

1)按PN结的组合方式可分为NPN型和PNP型；

2)按材料可分为锗三极管和硅三极管；

3)按工作频率可分为高频三极管（fa≥3MHz）和低频三极管（fa＜3MHz）；4)按功率可分为大功率管（PC≥1W）和小功率三极管（PC＜1W）5)按用途课分为普通放大三极管和开关三极管等。

三、三极管的电流放大作用

1)三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。

2)电流分配规律 Ie=Ic+Ib

3)三极管电流放大的实质是以基极电流IB的微小变化控制集电极电流IC的较大变化。

四、三极管输出特性

1) 三极管工作在饱和与截止区时，具有“开关”特性，可应用于脉冲数字电路中，起开关作用；2) 三极管工作在放大区时，可应用在模拟电路中，起放大作用；3) 所以三极管具有“开关”和“放大”两大功能。

五、测试工作状态

测量三极管引脚对地电压，可判断管子的工作状态：

1) NPN管 —— Vc＞Vb＞Ve，

PNP管 —— Vc＜Vb＜Ve。处于放大状态。

2) 若测的三极管的集电极对地电压Vc接近电源电压Vcc，则表明管子处于截止状态(开关断开)。

3) 若测的三极管的集电极对地电压Vc接近零（硅管小于0.7V，锗管小于0.3V），则表明管子处于饱和状态(开关闭合)。

判断步骤及方案：

1) 先量出C、B、E各点对地的电压

2) 如果Uce<Ube,则处于饱和状态

3) NPN管 —— Vc＞Vb＞Ve，

PNP管 —— Vc＜Vb＜Ve。处于放大状态。

4) 否则处于截止状态

例子如下：

IRF830PBF 特点描述

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：-

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.5 欧姆 @ 2.7A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.5A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250?A

闸电荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：610pF @ 25V

功率 - 最大：74W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 (直引线)

包装：管件

供应商设备封装：*

其它名称：*IRF830PBF

用场效应三级管代替。

场效应管用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。

从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

扩展资料:

主要参数：

1、直流参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。

2、交流参数

交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

参考资料来源：百度百科-场效应管

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