请教工艺中的 FUSE制程

你说的应该是芯片上面的钝化层吧？metal fuse或poly上面的氧化层是必须有的，要不，金属还没有编程就全部氧化掉了。只是在fuse上面加pad opening 去掉钝化层。方便散热以及污染物逸出。metal fuse和poly fuse要求的电流脉冲时间不一样。由于poly的熔点比metal的高，所有要求电流脉冲的上升时间极短，让瞬间的电流烧断poly。

传统的Fuse主要有三种：以大电流烧断的金属熔线(Metal Fuse)和多晶硅熔线(Poly Fuse)，或是以激光烧断之金属熔线(Laser Fuse)。Fuse为电子产品中之关键性零组件，其功能为掌管备用内存(Redundancy Memory)切换，或用于射频电路(RF)中，提供可调整之电阻与电容特性(RC trimming)，以及常见使用于安全码(Security Code)、电子卷标之低字码(Low Bit Count)数据储存。现有市售产品因使用激光烧断、大电流烧断等制程，往往面临不可回复性等问题，如以大电流烧断之金属熔线(Metal Fuse)或是复晶硅熔线(Poly Fuse)，需以较大电流进行，将受限于烧录设备与接脚的设计，而以激光烧断之金属熔线(Laser Fuse) 仅能在芯片封装前进行，应用范围受限，且制程的良率较差。传统制程所衍生之不可回复性与不便利性俱为产业界亟欲改良之缺点，且随着半导体制程技术的进步，市场需要快速适应变化与突破限制的零组

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