不过可惜的是,就在近日,这个投资千亿的半导体项目迎来了最终落幕,不仅发出通知遣散所有员工,还要求全体员工必须在3月5日前完成办理离职手续。
当然,最可惜的还是那台完全未拆封,被抵押给银行的大陆唯一一台7nm高端光刻机!
其次,从人员上来说,弘芯半导体也是兵强马壮。
据悉,武汉弘芯半导体项目的技术总负责人乃是芯片界的大牛蒋尚义。此人乃是台积电前CTO(首席技术官),在台积电任职时间长达10年,是张忠谋的左膀右臂。
更重要的是,根据公开信息显示, 台积电90纳米、65纳米、40纳米、28纳米、20纳米、6纳米等关键节点的研发都有蒋尚义的参与,得一蒋尚义胜过数百名芯片工程师。
然而现在呢?就在几个月前, 蒋尚义亲自证实在2021年1月1日正式加入中芯国际,并担任中芯国际副董事长一职。
由此还闹出了一场风波,梁孟松博士因蒋尚义突然空降,高调请辞,众网友大呼中芯国际“老糊涂”了。
按道理说兵强马壮的弘芯半导体项目怎么也能折腾出一点儿动静,怎么就突然烂尾了呢?1380亿的投资又都花到哪儿去了呢?
根据武汉《上半年东西湖区投资建设领域经济运行分析》文件披露,弘芯半导体项目的钱主要花在了以下两个方面。
1.人才投资。根据台媒消息, 武汉弘芯在2019年的时候便已经着手挖人,除去在6月份请来蒋尚义这么一位业内高人之外,年底的时候还联合山东泉芯开出高于台积电2.5倍的薪酬从台积电挖走了100多名资深工程师和半导体经理。
2.设备投资。设备方面, 除去一期生产线需要的300余套设备之外,更是通过各种关系引进了一台型号为TWINSCAN NXT:1980Di的高端光刻机 ,这种光刻机是大陆唯一一台可以生产7nm芯片的高端光刻机。当初该设备成功引进时,甚至还专门弄了一个声势浩大的进厂仪式( 如今已被抵押给了武汉农商行,估值58180.86万元 )。
3.厂房投资。据悉,仅是一期厂房投资就高达520亿, 主要生产厂房加研发大楼已经封顶或完成,总建筑面积高达39万平方米。 不过二期项目出了点问题, 由于一直没有完成土地调规和出让,以及缺少土地、环评等支撑材料,所以二期项目迟迟未能启动,以“烂尾”告终。
至此,负责人转投,高端设备抵押,二期工程“烂尾”,虽然武汉弘芯还没有完全解散,但是已经濒临彻底失败的边缘。
根据2月27日最新消息,武汉弘芯内部下达了一则正式通知,由于公司无复工复产计划,因此决定遣散所有员工,要求全体员工于2月28日下班前主动申请离职,并于3月5日前完成离职手续办理。即便是休假人员,也被要求线上办理。
值得注意的是,根据内部员工的透露,该消息的发出没有任何征兆,该员工所在的部门甚至还在为正式投产做准备。
此外还有一点需要注意, 按照通知中的说法,是要求全体员工自己主动提出离职申请,这是不是说明弘芯已经不打算支付遣散费用?还是说武汉弘芯的资金缺口已经到了连员工遣散费用都支付不起的地步了?
眼看他起高楼,眼看他宴宾客,眼看他楼塌了。
不管怎样,这个历时3年有余的弘芯半导体项目算是迎来了最终落幕,只是可惜了那一台能够制造出7nm芯片的高端光刻机了。
如果是其他项目或厂商拿到这台高端光刻机,是不是就可以实现14nm,7nm高端芯片量产呢?
最后还是要说一句, 像芯片半导体这种国之重器,还是掌握在可信的人和公司手里比较好。
中韩通讯社 韩国金禅子
三星电子8月30日表示,建筑面积达16个足球场(12.89万平方米)的平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。该工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。
三星电子表示,“以量产D-RAM产品为起点,平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线,成为高 科技 综合生产工厂,为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。
为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求,三星电子从今年5月开始动工在平泽2号工厂建造代工生产线,并从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。
三星电子2018年8月公布180万亿韩元、创造4万个就业岗位的投资计划后,开始投资建造平泽2号工厂。
继平泽1号工厂之后,预计平泽2号工厂的总投资规模也将达到30万亿韩元以上。其中三星电子直接雇佣人数将达4000人,包括其供货商等合作伙伴和建设人员在内,共将创造3万多个就业岗位。
平泽1号工厂从2015年动工,占地289万平方米,2017年6月投产。
平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示,这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度,是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。
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