功率半导体市场增速第一,规模达到上千亿元,日本没挡住国产崛起

功率半导体市场增速第一,规模达到上千亿元,日本没挡住国产崛起,第1张

近年来,芯片对于每个国家的发展越来越重要,相关的报道也越来越多。我发现,很多读者朋友们对于芯片的了解还只是一个大概,都将芯片误认为是CPU或者是一些其他的方面。一般来讲,芯片指的都是集成电路半导体,所以我们一般称半导体领域时都会提及芯片。大家都知道,我国半导体领域的发展相对于发达国家而言是落后的,但这并不意味着我国半导体领域就不行。在近几年,我国半导体领域发展飞快,就连日本也没挡住我们中企的崛起。

芯片分为三种芯片:功率芯片、逻辑芯片和储存芯片。功率芯片大多应用于提高设备节能性能;而大家所熟知的CPU比如英特尔、麒麟芯片这些属于逻辑芯片;储存芯片主要应用于数据保护、数据安全和数据保存方面。这三种芯片中,功率芯片是最简单制造的。然而在以前,我国却需要每年花费大量金钱去美日德进口芯片,比如德国英飞凌、美国安生美和日本的三菱电机。日本一直以来都是我国功率半导体的最大进口国,无论是价格还是性能,日本功率半导体芯片都受到了中国买家的青睐。

不过就在近日,有媒体发现日本功率半导体企业似乎不太开心,原因就是因为中国功率半导体芯片企业在飞速崛起,生产速度和规模都达到了前所未有的高度,最重要的是,我国在不久前刚刚突破且拥有了300mm半导体硅片生产能力。其实说到功率芯片,我国缺少的并不是技术,而是原材料。因为制造功率芯片需要大量的硅,而我国的硅材料有90%都来自进口,没有掌握到硅片的核心技术,让我国头疼了很长时间。

日本的信越化学是全球最大的半导体硅片厂商,市占率高达28.5%,排名全球第一,而全球第二的硅片厂商也是日本的。这些企业不仅有着优良的技术,制造经验还十分丰富,所以即便国产硅片价格再低,由于纯度不够以及晶体缺陷,几乎没人愿意购买。所以,国产企业很难在硅片上有所突破,很多研究硅片的国产企业都倒闭了。好在2017年以后,我国开始大力扶持硅片厂商,在多个地区投资建厂,直到现在我国硅片的年生产量已经足够为我国供给。

到了现在,我国功率半导体市场规模已经超过了1263亿元,复合增长率也达到了惊人的30%以上,是全球国家中名副其实的第一名。中国庞大的市场,再加上国产 科技 企业对功率芯片的巨大需求,中国功率芯片领域在未来很有可能能够超越日本的地位。

半导体硅片纯度11个9-12个9。公司半导体硅片全球几乎全部的功率半导体制造商和全球接近40%的数字芯片制造商,公司都有有效的商业合作。依托成熟的功率半导体产品技术经验,不断对成熟量产及研发中产品进行技术研发迭代更新。

功率半导体器件,嘿嘿,本人的本行。功率半导体器件,以前也被称为电力电子器件,简单来说,就是进行功率处理的,具有处理高电压,大电流能力的半导体器件。给个数量吧,电压处理范围从几十V~几千V,电流能力最高可达几千A。典型的功率处理,包括变频、变压、变流、功率管理等等。

早期的功率半导体器件:大功率二极管、晶闸管等等,主要用于工业和电力系统(正因如此,早期才被称为电力电子器件)

后来,随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展,现在功率半导体器件已经非常广泛啦,在计算机、通行、消费电子、汽车电子为代表的4C行业(computer、communication、consumerelectronics、cartronics),功率半导体器件可以说是越来越火,现在不是要节能环保吗,低碳生活,那就需要对能量的处理进行合理的管理,power是啥?通俗的理解不就是功率P=IV吗,所以就需要对电压电流的运用进行有效的控制,这就与功率器件密不可分!功率管理集成电路(PowerManagementIC,也被称为电源管理IC)已经成为功率半导体器件的热点,发展非常迅速噢!

功率半导体器件,在大多数情况下,是被作为开关使用(switch),开关,简单的说,就是用来控制电流的通过和截断。那么,一个理想的开关,应该具有两个基本的特性:

1,电流通过的时候,这个理想开关两端的电压降是零

2,电流截断的时候,这个理想开关两端可以承受的电压可以是任意大小,也就是0~无穷大

因此,功率半导体器件的研究和发展,就是围绕着这个目标不断前进的。现在的功率半导体器件,已经具有很好的性能了,在要求的电压电流处理范围内,可以接近一个比较理想的开关。

好了,扯了这么多,举几个功率半导体器件的例子吧,刚才已经说了,功率二极管,晶闸管,还有功率BJT(就是功率双极型晶体管)这些都是第一代产品了,比较老的了,第二代是以功率MOSFET为代表的新型功率半导体器件,如VDMOS、LDMOS,以及IGBT。

VDMOS即(verticaldouble-diffusionMOSFET)是纵向器件,多用于分立器件;LDMOS即(Lateraldouble-diffusionMOSFET),是横向器件,其三个电极均在硅片表面,易于集成,多用于功率集成电路领域。IGBT即(InsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极型晶体管),可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。IGBT目前非常火啊,国内才刚刚起步,大量需要IGBT的高技术人才,这个有钱途的。

扯了好多啊,先就这么多吧,要细说的话,可以说一天。希望我的回答对你有帮助,一字一句都是原创,望采纳


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