半导体和锂电池有关系吗

半导体和锂电池没有关系，半导体指的是用硅、锗等元素掺入其它材料中制成的材料，而锂电池是一类由锂金属或锂合金为正/负极材料、使用非水电解质溶液的电池，所以两者并没有关系。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。

光伏应用

半导体材料光生伏特效应是太阳能电池运行的基本原理。现阶段半导体材料的光伏应用已经成为一大热门 ，是目前世界上增长最快、发展最好的清洁能源市场。

太阳能电池的主要制作材料是半导体材料，判断太阳能电池的优劣主要的标准是光电转化率 ，光电转化率越高 ，说明太阳能电池的工作效率越高。根据应用的半导体材料的不同 ，太阳能电池分为晶体硅太阳能电池、薄膜电池以及III-V族化合物电池。

以上内容参考  百度百科-半导体

PN结金硅面垒型半导体探测器，2mm厚度灵敏区仅相当于1.1MeV β射线的射程。为了探测高能射线而采用锂漂移技术，在P型和N型半导体材料之间形成一个本征半导体区，可获得厚度大于10mm的灵敏区。称为PIN结锂漂移型半导体探测器。

如图4-3-2所示，在P区电子是少数载流子，空穴浓度比电子多很多；在N区空穴是少数载流子，电子浓度比空穴浓度多得多。在 I区，电子和空穴浓度相等，P、I和N型三者连接后，电子和空穴扩散结果，在P、N和I区的界面附近分别形成正、负空间电荷区(见图4-3-2)。形成I区内电场Ei。

图4-3-2 PIN结探测器示意图

在PIN 结两端加上反向电压，内电场Ei将得到增强。与PN结类似，I区即为探测射线产生电离的灵敏区，厚度较大，可以探测高能射线。

锂在硅和锗中的电离能很低(在硅中为0.033eV，在锗中为0.093eV)，很容易电离而且离子半径仅有0.06nm。在P型硅或锗表面镀一层锂，而锂很快穿过硅或锗的晶格，处于晶格之间成为施主杂质。在PIN结所加反向电压作用下，锂电离成锂离子与受主结合成中性分子，使I区内电子和空穴大大减少，起到“补偿”作用，形成电阻率很高的本征区。

硅和锗加上锂作为漂移材料制成锗锂漂移探测器——Ge(Li)；或硅锂漂移探测器——Si(Li)。锗锂漂移探测器有两种：即平面型和同轴型。目前平面型为圆片状只能获得15～20mm厚的本征区。同轴型为圆柱状，中心小圆柱为P区，外层为N区，中间为I区(本征区)。目前Ge(Li)灵敏区可达150cm3左右，体积较大。Ge(Li)探测器主要用于γ能谱测量，能量分辨率很好。必须在低温下(液氮-196℃)工作和保存。

Si(Li)探测器，主要用于X射线能谱测量，在1～100keV范围有很高的能量分辨率；也可用于β射线测量。必须液氮温度下工作，可以在室温下保存。