在可见光下能激发在紫外光下能激发吗

在可见光下能激发在紫外光下也能激发。

紫外光能量高于可见光，当能量到达半导体禁带宽度的阈值时，才会激发催化剂吸收能量，产生催化效应，催化剂对光的吸收，可以做个紫外可见漫反射，很容易就看出来了。

光也有强弱之分，即光子的能量有区别，如果光子能量较弱，可能无法将电子激发出来，这个最小的激发光的能量与材料的禁带宽度一致。光子能量与波长成反比，紫外>可见光>红外光，所以，有些材料（如GaN）只能吸收紫外（禁带宽度大，激发能量高），有些（如Si)可以吸收可见光+紫外，有些(如锗、GaAs）可以从红外波段开始吸收。

所谓半导体的辐射主要是器件在工作时产生的电磁场辐射，其他如有X射线功能的半导体器件辐射在特殊工种中才会遇到。日常如手机在拨号时会产生较大电磁场（>100mv),又如电脑显示器，电视机等都会有大小不等的磁场产生。人受辐射的影响是一个潜移默化的理论，当下城市大多人的正常生活中每天都会有半导体的辐射存在，但大多都是很小的磁场（<50MV，我曾经用示波器做过实验），基本不会担心有什么直接危害，但是长期的辐射下工作加上个人本身体质的原因，是有或多或少的影响，比如你会听说某核工业基地周围的人群癌症发病率高等案例，半导体器件的辐射没核辐射那么严重但你如果问危害的话就是类似原理，通过个人体质增强，注意饮食搭配，减少持续受辐射时间都是减少辐射危害的有效办法。

为了区别用电导率法测得的禁带宽度，用光吸收法测得的禁带宽度又叫光学带隙。

本征吸收过程吸收光的能量大于等于带隙的大小。可以通过吸收光的能量求算带隙。

紫外可见分光计的定量基础是朗伯比尔定律：吸光度与厚度呈正比。

对于半导体吸收边和吸收系数呈一定的关系：aE=A(E-Eg)m；两边同时取对数：ln(aE)=lnA+mln(E-Eg)

m的取值和半导体带隙的种类有关；A是常数，所以（aE）1/m与hv作图可以得到吸收边，吸收边延长至aE=0处可以得到光学带隙Eg

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