ms管又叫场效应管,是小电压控制电流的,是一种利用场效应原理工作的半导体器件。场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功率小、易于集成等特点。场效应管一般具有3个极,其中G为栅极,S为源极,D为漏极,场效应管的S极和D极是对称的,在实际使用中可以互换。
场效应管分类,按结构来划分可分为结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET或MOSFET两大类。
关于MOS 决定半导体能带弯曲的因素是电压平带电压(Flat band voltage)就是在MOS系统中,使半导体表面能带拉平(呈平带状态)所需要外加的电压。
对于实际的MOS系统,由于金属-半导体功函数差φms和Si-SiO2系统中电荷Qf 的影响, 在外加栅极电压为0 时,半导体表面的能带即发生了弯曲,从而这时需要另外再加上一定的电压才能使能带拉平,这个额外所加的电压就称为平带电压。
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