杂质半导体中少子比未加杂质时的数目是增多了还是减少了?为什么?

是减少，P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

因此,在P型半导体中,空穴数远大于自由电子数,空穴为多数载流子,而自由电子为少数载流子。

本征半导体中的载流子都是由本征激发所产生的，一般数量不多（随温度而指数函数式增大）。

但是，掺入施主杂质或者受主杂质以后，则杂质可提供大量的电子或者空穴，这就是多数载流子；这时，还是存在少数载流子，那就是本征激发出来的一些载流子。

少子即少数载流子，相对的是多数载流子，两种载流子的浓度乘积是固定的。

掺杂半导体中的掺杂物在常温下完全电离（电离出电子或空穴，依掺杂物种类而异），电离出的载流子远远多于半导体本征电离，于是掺杂半导体便出现两种载流子的严重浓度差异，低的是少数载流子，多的是多数载流子。

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