什么是SRAM工艺，好像是跟FPGA有关系

楼主的问题有点反了。SRAM工艺是FPGA的一种工艺方法。而工艺主要是针对编程开关来说的。

现在的FGPA按工艺分主要有SRAM工艺和Flash工艺两类。

SRAM工艺的FPGA最大的特点是掉电数据会丢失，无法保存，所以它们的系统除了一个FPGA以外，外部还需要增加一个配置芯片用于保存编程数据，比如EPCS4，EPCS16，每次上电的时候都需要从这个配置芯片将配置数据流加载到FPGA，然后才能正常的运行；

但是Flash工艺的FPGA掉电不会丢失数据，无需配置芯片EPCS4，上电即可运行，比如CPLD.

cache主要由SRAM半导体芯片组成。

Cache存储器，又称之为高速缓冲存储器，是位于CPU和主存储器DRAM（Dynamic Random Access Memory）之间，规模较小，但速度很高的存储器，通常由SRAM（Static Random Access Memory 静态存储器）组成。

SRAM，全称静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory），是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。

扩展资料：

SRAM的类型：

一、根据晶体管类型分类

1、双极性结型晶体管（用于TTL与ECL）—非常快速但是功耗巨大

2、MOSFET（用于CMOS）—低功耗，现在应用广泛。

二、根据功能分类

1、异步—独立的时钟频率，读写受控于地址线与控制使能信号。

2、同步—所有工作是时钟脉冲边沿开始，地址线、数据线、控制线均与时钟脉冲配合。

三、根据特性分类

1、零总线翻转（Zero bus turnaround，ZBT）—SRAM总线从写到读以及从读到写所需要的时钟周期是0

2、同步突发SRAM（synchronous-burst SRAM，syncBurst SRAM）

3、DDR SRAM—同步、单口读/写，双数据率I/O

4、QDR SRAM（Quad Data Rate (QDR) SRAM）—同步，分开的读/写口，同时读写4个字（word）。

四、根据触发类型

1、二进制SRAM

2、三进制计算机SRAM

参考资料：百度百科——CACHE存储器

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