ILD是什么意思呢！？应该是德语吧~

ILD有4个涵义:

1.注入型激光二级管(Injection laser Diode)

又称p-n junction laser，半导体结型二极管激光器。是较成熟、较常用的一类半导体激光器，于1962年首次研制成功。

它的主体是一个正向偏置的p-n结，当电流密度超过阈值时，注入载流子（电子和空穴）在p-n结结区通过受激辐射复合，产生激光。其工作特性和输出特性受温度影响极大，故备有冷却系统。最早的同质结型砷化镓（GaAs）半导体激光器，在一块经过加工的砷化镓单晶体的上、下两面上（p型与n型砷化镓）分别焊上电极，组成谐振腔的两端面要平行，并经过研磨抛光，甚至涂膜，以增加反射，也可以直接利用平行的平坦晶面（自然解理面）组成谐振腔。砷化镓的折射率约为3.6，在半导体与空气的分界面上反射率高于30%，因此，它可提供光反馈作用，使激光振荡能够产生，激光波长约为9040Å。

可用在雷达、计算机及通信系统中，或用作视频唱片和声频唱片的光源，它在超高分辨率光谱学、集成光学以及军事等方面有着广泛的应用。

2.指示逻辑图表(instructional logic diagram)

3.德语 Ich Liebe Dich（I Love You，我爱你） 的缩写

4.间质性肺疾病（interstitial lung disease）

间质性肺疾病（ILD）是以弥漫性肺实质、肺泡炎症和间质纤维化为病理基本病变，以活动性呼吸困难、X线胸片弥漫性浸润阴影、限制性通气障碍、弥散（DLCO）功能降低和低氧血症为临床表现的不同种类疾病群构成的临床-病理实体的总称。

这是纯微电子的东西，跟PCB没半毛钱关系。

芯片上不同MOS管之间是靠金属或者多晶硅互联的，越是复杂的芯片，这个互连线越是不可能在一层之内布完，于是就有好几层互连线，不同层互连线之间就要有ILD来隔离并支撑。

任意两根导线之间都有电容，ILD介质介电常数比较高，导线比较宽，距离比较近的时候层间电容就有比较大影响。

衬底与外延片晶圆片的关系：

晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。 

衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。 

外延（epitaxy）是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料。

外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层。

再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构：外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区。外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。因有些厂只做外延之后的工艺生产，所以他们买别人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺。

产品简介：

半导体制造商主要用抛光Si片（PW）和外延Si片作为IC的原材料。20世纪80年代早期开始使用外延片，它具有标准PW所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

历史上，外延片是由Si片制造商生产并自用，在IC中用量不大，它需要在单晶Si片表面上沉积一薄的单晶Si层。一般外延层的厚度为2～20μm，而衬底Si厚度为610μm（150mm直径片和725μm（200mm片）。

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