求《半导体器件物理与工艺》PDF，苏州大学出版社，施敏编著 急用 谢谢

http://wenku.baidu.com/link?url=M3O-OfqxY71W0tBFENqwzDr4VLFwnP8NCUC7rrduKbqeXKPOX74y0mGKe1wDWxaEEk0KIawl27pZiC4vyqSMTyKmXPWKoMrJgUwczonGl-S http://wenku.baidu.com/link?url=M3O-OfqxY71W0tBFENqwzDr4VLFwnP8NCUC7rrduKbqeXKPOX74y0mGKe1wDWxaEvhhCNxBFaWKlA9Gvy_5Kg3eINCBiKRiosHAcm_tbxj7 http://zhidao.baidu.com/question/332637709.html?前面两个是百度文库的，你看看，这个是之前有人回答过的，你可以找她要。qbl=relate_question_1&word=%B0%EB%B5%BC%CC%E5%C6%F7%BC%FE%CE%EF%C0%ED%D3%EB%B9%A4%D2%D5%20pdf

找到三份材料：现代半导体器件物理(施敏,科学出版社2001).pdf半导体器件物理与工艺参考答案.pdf(Semiconductor Devices,Physics and Technology)【施敏】全部发给你。请收。 刚才发了几次都因文件太大被退回。后将文件分开发送，已发送完毕，请查收。

首先说明一下，半导体中所谓的工艺指得是IC在由设计文件生产成为实体的过程步骤和技术（这是我自己组织的语言，明白是什么意思就成了），比如你所说掺杂、注入、光刻、腐蚀都是现在比较流行也是传统的半导体生产工艺。 而扩展到集成电路上，这个“工艺”一般又多了一层“特征尺寸”的感念，比如人们常说“我这CPU是core2duo，用得是45nm的工艺”。当然现在最先进的工艺已经达到了30nm左右，甚至在实验室中有更低的数值得以实现.

至于你说的MOS，CMOS这些东西，我个人认为不能称之为“工艺”，而是电路组成形式。以CMOS为例，它的意思是“互补对称型MOS”，即电路中的基本单元是一个反向器（由一个NMOS和一个PMOS构成），--整个电路都是由这种单元组成，因此它是一种电路组成形式。

工艺和电路组成形式的对应关系是：CMOS为单极型工艺（口头上即称为COMS工艺，所以容易产生你的那种误解），是数字电路的代表；TTL电路形式为双极型工艺（口头上就是双极型），是模拟电路的代表。而前面所说的“掺杂、注入、光刻、腐蚀”多用于单极型工艺，双级型也类似但具体还是有些不同的。

die bond,wire bond则是封装工艺。

如果我去回答面试的那几个问题时，我基本上就从“特征尺寸”和工艺流程上说一下。中国大陆现在能做的最小工艺尺寸就是45nm（如INTEL的大连厂）了，要算上台湾的话，基本能做到世界最先进的水平（TCMC和中芯国际），不过知识产权是不是自己的就不好说了。第三个问题我会反问下考官是是指的电路形式还是工艺流程，因为现在有些企业负责的人自己业务都搞得不怎样，问问题也比较奇怪

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