1、新能源领域的宁德时代已经率先站上万亿市值，那么，代表着人类最先进的半导体科技也应该有万亿市值的龙头。那么，我们来简单说说这十大半导体龙头，其实，这十大龙头和半导体ETF（512480）中的十大重仓股基本一致，韦尔股份、卓胜微、北方华创、兆易创新、紫光国微等在列，这里面没有科创板的中芯国际、沪硅产业、华润微等，但是多了长电科技、汇顶科技、澜起科技、华天科技、中微公司，那么，我们就来说说这些个龙头。
2、韦尔股份 603501：2422.09亿，主营业务为半导体分立器件和电源管理IC等产品的研发设计。以CIS业务为核心，多产品线协同发展开启韦尔新征程。2019年收购全球第三大CMOS图像传感器供应商豪威科技，除豪威外，韦尔股份近两年对外先后收购思比科、Synaptics 等优质资产，对内加大在分立器件、 射频 IC、模拟 IC 等领域研发力度，形成了以 CIS 业务为核心，多产品线协同发展的业务布局。2020年上市公司实现营收198.24 亿元，同比增长45.43%；实现归母净利润 27.06 亿元，同比增长481.17%，在疫情等外部不利因素影响下 依旧保持了较高的增速。2021 年一季度公司收入和利润继续保持高速增长，创下单季历史新高，体现了公司主业横向拓展后良好的成长性。预计公司业绩有望继续保持较高增长。
3、中芯国际688981：2263.81亿，大陆晶圆代工龙头，被给予厚望，目前全球最领先的芯片制造商是台积电，占了全球芯片加工50%以上的市场份额，中芯国际却只有6%的市场份额，上市即巅峰，后面股价持续低迷，主要还是我们依然被卡脖子，而中芯被给予的希望太大了，最后大家失望了，中芯国际目前的先进工艺主要是14nm和28nm制程，大家都在等中芯国际量产出7nm制程的芯片，而台积电7nm和5nm制程的芯片早就量产了，现在人家已经大力投资建厂在研发3nm制程的芯片了，而现在高端手机都是5nm，所以，这是中芯国际的软肋。业绩方面，20年及一季度都不错，目前半导体景气度在提升，股价还是有希望的
随着市场对半导体性能的要求不断提高，第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势开始崭露头角，成为行业未来重要增长点。
相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄，由于性能不同，二者的应用领域也不相同。
氮化镓、高电流密度等优势，可显著减少电力损耗和散热负载，迅速应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域，是未来最具增长潜质的化合物半导体。
与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。
随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。
GaN主要应用于生产功率器件，目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域。
在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。氮化镓基站PA的功放效率较其他材料更高，因而能节省大量电能，且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段，功率密度大，能够减少基站体积和质量。
氮化镓在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。随着5G高频通信的商业化，GaN将在电信宏基站、真空管在雷达和航空电子应用中占有更多份额。
根据Yole估计，大多数Sub 6GHz的蜂窝网络都将采用氮化镓器件，因为LDMOS无法承受如此之高的频率，而砷化镓对于高功率应用又非理想之选。
同时，由于较高的频率会降低每个基站的覆盖范围，需要安装更多的晶体管，因此市场规模将迅速扩大。
Yole预测，GaN器件收入目前占整个市场20%左右，到2025年将占到50%以上，氮化镓功率器件规模有望达到4.5亿美元。
从产业链方面来看，氮化镓分为衬底、外延片和器件环节。
尽管碳化硅被更多地作为衬底材料（相较于氮化镓），国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等。
从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等。
从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰 科技 、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。
GaN技术的难点在于晶圆制备工艺，欧美日在此方面优势明显。由于将GaN晶体熔融所需气压极高，须采用外延技术生长GaN晶体来制备晶圆。
其中日本住友电工是全球最大GaN晶圆生产商，占据了90%以上的市场份额。GaN全球产能集中于IDM厂商，逐渐向垂直分工合作模式转变。美国Qorvo、日本住友电工、中国苏州能讯等均以IDM模式运营。
近年来随着产品和市场的多样化，开始呈现设计业与制造业分工的合作模式。
尤其在GaN电力电子器件市场，由于中国台湾地区的台积电公司和世界先进公司开放了代工产能，美国Transphorm、EPC、Navitas、加拿大GaN Systems等设计企业开始涌现。
在射频器件领域，目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三者占比相差不大，但据Yoledevelopment预测，至2025年，砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。
GaAs芯片已广泛应用于手机/WiFi等消费品电子领域，GaN PA具有最高功率、增益和效率，但成本相对较高、工艺成熟度略低，目前在近距离信号传输和军工电子方面应用较多。
经过多年的发展，国内拥有昂瑞微、华为海思、紫光展锐、卓胜微、唯捷创芯等20多家射频有源器件供应商。
根据2019年底昂瑞微董事长发表的题为《全球5G射频前端发展趋势和中国公司的应对之策》的报告显示，截至报告日，国内厂家在2G/3G市场占有率高达95%；在4G方面有30%的占有率，产品以中低端为主，销售额占比仅有10%。
目前我国半导体领域为中美 科技 等领域摩擦中的卡脖子方向，是中国 科技 崛起不可回避的环节，产业链高自主、高可控仍是未来的重点方向。第三代半导体相对硅基半导体偏低投入、较小差距有望得到重点支持，并具备弯道超车的可能。
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