半导体与金属接触，能带的变化

金属功函数：金属内部逸出到表面真空所需最小能量 半导体功函数：E0与费米能级的差 电子亲和能 使导带底的电子逸出体外所需最小能量 WSe2为P型半导体 半导体费米能级高于金属的费米能级 接触后，金属和半导体的费米能级相同，半导体的导带电子流向金属 电荷的流动在半导体表面形成正的空间电荷区（因为电子溜走了嘛） 那么半导体表面 和内部就会存在电势差，就是表面势Vs 接触电势差分布在空间电荷区和金属半导体表面间，当紧密接触时主要分布在空间电荷区 势垒高度为-qVs

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。这句话可以从以下两个方面理解。

从能带角度来看，导体（金属）没有导带和价带的概念，金属内的电子都是自由电子，可以认为金属的禁带宽度为0。半导体和绝缘体都具有导带和价带，但是半导体的导带底和夹带顶的能级差（禁带宽度）较小。在外界有光或热激发时电子有很大可能从价带底跃迁到导带顶，变为能够导电的电子。

从宏观角度理解。在改变一些条件的情况下，导体导电和绝缘体绝缘是不会发生改变的。但是半导体可以通过掺杂，光激发，升温等情形由绝缘变为导电。

正是因为半导体有这样的属性，所以在一块半导体上人们可以根据需要对部分区域进行掺杂来局部改变半导体的性质，这样在一块半导体上就能形成很多种器件结构，将这些器件结构用金属进行互联来形成有具体功能的电路就是我们日常使用的集成电路了。

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