在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素(如磷、砷、锑等),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电(Negative)的电子载流子,称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电,由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。
该半导体中,是由掺入的V族元素改变原硅晶体的原子结构,提供自由电子。
而金属中每个原子都能够提供自由电子。
首先你要理解n型半导体是如何产生的,他是在硅中参杂少量的磷单质形成的为什么参杂磷单质会形成n型半导体呢,这是因为在单晶硅中硅原子与硅原子是很好的结合,每个硅原子(内部)周围都有8个电子,此时处于稳定状态,所以硅单质是几乎不导电的,但是你掺杂磷原子之后,磷原子会替代硅原子的位置,磷原子外围有五个电子,比硅多一个,所以当磷原子取代硅原子的位置的时候会多出一个电子,很多个磷原子取代就会产生很多电子,这样就形成了电子较多的n型半导体,而导电机制也是得益于这些多出的电子。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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