日前,华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野,引起业界重点关注。
事实上,随着半导体技术不断进步,对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高,传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求,碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能,早已成为当前世界各国竞相布局的焦点,我国在加速发展集成电路产业的同时,把发展第三代半导体技术列入国家战略。
如今5G时代到来,将推动半导体材料实现革命性变化。其中,氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域,其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临,我国目前有哪些企业在布局?下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。
GaN衬底企业
东莞市中稼半导体 科技 有限公司
东莞市中镓半导体 科技 有限公司成立于2009年1月,总部设于广东东莞,总注册资本为1.3亿元人民币,总部设立厂房办公区等共17000多平方米,并在北京有大型研发中心,为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。
官网显示,中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线,制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底,并能够稳定生产。2018年2月,中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。
东莞市中晶半导体 科技 有限公司
东莞市中晶半导体 科技 有限公司成立于2010年,是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。
中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑,以GaN衬底为基础,重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术,并向新型显示模组方向延展;同时,中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础,孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术,并进行全球产业布局。
苏州纳维 科技 有限公司
苏州纳维 科技 有限公司成立于2007年,致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化,实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术,现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。
据官网介绍,目前纳维 科技 GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用,正在提升产能向企业应用市场发展,重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。
镓特半导体 科技 (上海)有限公司
镓特半导体 科技 (上海)有限公司成立于2015年4月,主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长,以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备,并用以生长高质量的氮化镓衬底。
官网显示,借助自主研发的HVPE设备,镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示,未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地,以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用,并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。
GaN外延片企业
苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月,致力于氮化镓(GaN)外延材料的研发和产业化。2013年8月,晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线,可年产150mm氮化镓外延片2万片;2014年底,晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。
官网介绍称,截至目前,晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模,其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。
聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司
聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司成立于2018年6月,专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场,聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。
2018年12月,聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时,保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性,可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。
北京世纪金光半导体有限公司
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月,经过多年发展,世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。
在碳化硅领域,世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通,氮化镓方面,官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。
聚力成半导体(重庆)有限公司
聚力成半导体(重庆)有限公司成立于2018年9月,是重庆捷舜 科技 有限公司在大足区设立的公司。2018年9月,重庆大足区政府与重庆捷舜 科技 有限公司签约,拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。
2018年11月,聚力成半导体(重庆)有限公司举行奠基仪式,项目正式开工。该项目占地500亩,计划投资50亿元,将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日,该项目一期厂房正式启用,预计将于今年10月开始外延片的量产。
GaN制造企业
成都海威华芯 科技 有限公司
成都海威华芯 科技 有限公司成立于2010年,是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解,海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建,2015年1月,海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权,并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东,从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。
海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示,海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺,发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年,是LED芯片制造公司三安光电下属子公司,基于氮化镓和砷化镓技术经营业务,是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂,服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场,具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。
三安集成项目总规划用地281 亩,总投资额30亿元,规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示,三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线,在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
华润微电子有限公司
华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业,亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业,其聚焦于模拟与功率半导体等领域,业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件,目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家,为国内拥有完整半导体产业链的企业。
2017年12月,华润微电子完成对中航(重庆)微电子有限公司(后更名为“华润微电子(重庆)有限公司”)的收购,重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产,并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线,具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。
杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年,专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造,2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线,现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体(IDM)企业。
近年来,士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年,士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月,士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工,其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元,定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。
GaN IDM企业
苏州能讯高能半导体公司
苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年,致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化,为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动 汽车 等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。
能讯半导体采用整合设计与制造(IDM)的模式,自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术,目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓(GaN)电子器件工厂,厂区占地55亩,累计投资10亿元。
江苏能华微电子 科技 发展有限公司
江苏能华微电子 科技 发展有限公司成立于2010年6月,是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高 科技 公司。
能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年,能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。
英诺赛科(珠海) 科技 有限公司
英诺赛科(珠海) 科技 有限公司成立于2015年12月,该公司采用IDM 全产业链模式,致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月,英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产,成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线,主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。
2018年6月,总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工,今年8月30日项目主厂房封顶,预计12月底生产设备正式进厂,2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品,将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
大连芯冠 科技 有限公司
大连芯冠 科技 有限公司成立于2016年3月,该公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式,主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售,产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动 汽车 及工业马达驱动等领域。
官网介绍称,芯冠 科技 已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月,芯冠 科技 在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品(通过1000小时HTRB可靠性测试),并正式投放市场。
江苏华功半导体有限公司
江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月,注册资本为2亿元人民币,一期投入10亿元人民币。官网介绍称,目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。
根据官网显示,华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品,并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造,提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
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一、新湖中宝
公司主营业务是房地产开发、投资、商业贸易等。其主要产品包括房地产、商业贸易和海涂开发。公司参股上海钻石交易所,并且持有的富加镓业科技依托于中科院上海光机所,专注研究新型第四代半导体材料氧化镓。
二、文一科技
公司的主营业务是设计、制造、销售半导体集成电路封测设备、模具、塑封压机、芯片封装机器人集成系统、自动封装系统及精密备件。公司是我国带式输送机行业理事级单位,行业标准制定单位,公司产品质量、规模位于轴承座行业前列。公司主营半导体集成电路专用模具和化学建材专用模具的设计,研发和生产,是两市唯一的模具制造。
8月龙头的潜伏细节
由于我专业的态度和准确的预判,从去年以来多次逃顶与抄底,几乎没有失误,比如这段时间帯大家做的巨轮智能、赣能股份、惠城科技、大港股份等,都已经翻了个倍,积成电子,大金重工也是收获满满。
笔者花3个小时,根据300份中季报,结合盘面情况,热点概念挑选出一只趋势牛! 属于大周期横盘震荡模式,低位低价区域(横有多长竖有多高),是我们一直强调的中期题材,未来潜力很大,目前很接近5日线附近了,最新获利盘高达100%, 结合当前的市场情况,预计有130%以上的涨升空间,新龙头的启动往往就在一瞬间,机会只留给有准备的人。
大家都知道市场是千变万化的,不能一味地固执、守旧,跟对节奏才是最重要的选择,笔者下周将低吸8月龙头,这次信心十足,具体的就不在这里发放了,公众号:南风擒妖,回复:名单,即可领取。机会出现就要把握住,要遵循市场的法则,说实话不要想着自己会是那个幸运儿,今年是大长腿大年,摩擦拳脚,紧跟脚步!
三、隆华科技
公司从事传热节能产品的研发、生产及销售;环保水处理产品及服务;靶材等新材料的研发、生产、销售;国防军工新材料的研发、生产及销售。公司在电子溅射靶材领域的竞争优势十分显著,并且在高分子复合材料领域同样具有核心竞争优势。公司旗下晶联光电主营氧化铟镓锌的靶材,|TO靶材,|AZO靶材等陶瓷靶材研发及生产。
四、华映科技
公司是一家专门从事显示模组业务、盖板玻璃业务、面板业务。模组业务主要产品包括电视、电脑显示器等大尺寸模组产品和智能手机、平板电脑、笔记本电脑、POS机、工业控制屏等中小尺寸模组产品。公司拥有自主研发的氧化铟镓锌技术,成功开发出内嵌式触控屏,刘海屏、打孔屏等相关,并且已投产每月3万片的第六代氧化铟镓锌面板生产线。
五、冠捷科技
公司处于智能显示终端制造行业,主要业务包括智能显示终端产品的研发、制造、销售与服务。产品包括显示器、电视及影音三大类。公司拥有全球第一条的氧化铟镓锌技术的8.5代液晶面板生产线。
屈原在他的代表作十万个为什么《天问》中问道:交错而生的阴阳宇宙,其本源与演化究竟如何?都说天有九重,又有谁去度量?(“阴阳三合,何本何化?圜则九重,孰营度之?”)。
大约2300年后,名为“天问”的中国行星探测任务启动。“天问一号”火星探测器飞向苍茫宇宙,将于明年二月抵达火星。火星当然不是终点,但是在迈向更远星空的旅途上,比如——太阳。
一、踩上风口,关于材料的美好前景
宇宙中有许多太阳(恒星),离它们越近温度就越高,辐射就越强,远远超出一二代半导体的承受极限,所以目前探测器去不了离太阳们太近的地方。因为探测器也需要芯片,因此对于半导体基础材料的要求更高。
于是, 耐高温、耐高频、抗辐射 又 适应大功率 的第三代半导体闪亮登场了。
半导体一二三代主要以材料区分:
【第一代】:主要用硅和锗,是目前绝大部分器件的原料;
【第二代】:砷化镓和磷化镓成为4G通讯设备的主流;
【第三代】:以氮化镓、碳化硅、氧化锌和金刚石等为代表,尤其是碳化硅和氮化镓各擅胜场。其中 碳化硅 耐高温耐高压,主要用于千伏级别如电动车、高铁或工业用途。 氮化镓 主要用于中压(约600伏)产品。虽然与硅材料有部分重叠,但良好的移动性特别适合高频率场景,所以在 基站 、 5G通讯 等场景占优。
半导体性能越来越强,对材料的要求自然水涨船高。为了能生产第三代半导体材料,上世纪60年代末,一种把 金属有机化合物 气化,在高温反应室里发生化学反应得到相应材料的技术—— MOCVD ,成为了主流技术。用于这种技术的金属有机化合物统称 MO源 。全世界MO源供应商有4家玩儿得最大,对岸3家我国1家。中国这家就是南大光电(300346)。其主要产品纯度都做到了6N(99.9999%)级,而且与许多用户有深度合作,竞争态势不错。
摘自《南大光电2020年半年报》
中国拥有世界上已探明镓储量的绝大部分,公司未来很可能成为全球 三甲 基镓 龙头。三甲基镓是制备氮化镓的必需原料,所以三代半导体这个风口,南大光电算是踩中了。
另一方面,由于三代半导体还处于起步阶段,公司的MO源目前主要用于LED行业。LED这些年竞争不断加剧,所以公司MO源产品的 毛利率有所下滑 ,但整体上还是不错的。
摘自《南大光电2020年半年报》
不过公司特气产品 毛利下滑 十分严重,这是另一个故事了……
二、有钱任性,关于收购的悲伤故事
在MOCVD技术中,MO源进入反应室需要与高纯超净特种气体,也就是 高纯电子特气 混合。这种气体不但重要,纯度和洁净度直接影响加工精度,而且用量很大,是用量仅次于硅片的半导体材料。公司的磷烷、砷烷气体纯净度都做到了6N级别,是国内LED行业主要的气体供应商,在电子行业也有进展,硅烷、硼烷已经准备投放市场。特气比MO源的利润丰厚很多,去年上半年公司 特气产品毛利率高达60.76% ,简直高得不像制造业!
明星业务急转直下,源自一场有钱任性的并购。
去年8月5日,公司公告拟出资2.5亿收购山东飞源气体57.97%的股权, 溢价率高达235% !
摘自《南大光电取得飞源气体57.97%股权的公告》
这个收购案的诡异之处在于飞源气体2019年7月才由山东飞源 科技 有限公司通过分立方式设立,其提交的财务文件中2017和2018年 财务报告均是模拟数据 ,两年分别亏损0.3亿和0.2亿,2019年前7个月又亏损近千万。可以说,南大是高溢价收购了别人还没做起来的业务自己做。
公告一出,深交所发了《关注函》,连发九问要求公司说明收购的合理性。公司答得头头是道,最终于去年11月底完成了收购。
任性收购的恶果从去年底开始显现。公司各项费用飙升,利润大幅下滑,直到今年上半年仍没有改善的迹象。公司扣除非经常损益的 净利润骤减87.74% , 经营现金流萎缩260.60% ,由正转负。橙哥估计,买来的这部分业务还亏着呢。
摘自《南大光电2020年半年报》
这里面要说一下的是研发费用。根据半年报,上半年公司研发投入增长40%,如果属实的话那说明公司 大部分研发投入已经符合资本化条件 ,所以计入费用的部分不增反减,这也符合公司不断有新产品进入市场的现状。
但是飙升数倍的销售费用和管理费用告诉我们,公司的销售并不顺畅,对收购资产的整合也远没有完成。
三、结语
上半年,南大光电193nm高端光刻胶项目(可用于90-14nm技术节点集成电路制造)顺利投产并开始进行客户验证。公司另一高端材料ALD前驱体也具备量产能力并实现小规模销售。近日,公司公告收购杜邦公司19项新型硅前驱体技术资产包,继续增厚技术储备。综合来看,南大光电基础不错,核心产品有积淀,新业务发展也不错。但是一次任性的收购无异于给自己买了一个大包袱,何时卸下这副重担,年报或许有答案。
注:本文不构成投资建议,股市有风险,投资需谨慎,没有买卖就没有伤害。
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