感受宜居宜业宜创 厦门市组织外籍科技特派员走进厦门科学城

昨日，我市一批外籍科技特派员走进厦门科学城，感受宜居宜业宜创的产业环境。市科技局联合 厦门市 外国人才服务站(自贸试验区分站)组织了此次活动。

这些外籍科技特派员来自美国、印度、日本、埃及等国，分别是半导体、动漫设计、智能制造、海洋生态等领域的专家。他们在同安新城片区指挥部负责人带领下，先后前往美峰创谷、环东云谷和银城智谷(以下简称“三谷”)园区，并参观网易厦门数字产业中心和银城智谷人才公寓。

“三谷”初具规模 产业蓬勃发展

“三谷”作为科学城核心区，是科学城产业发展的重要载体，目前已有金牌智能家居、美亚柏科、美图、网易等一批新锐企业落户，并聚集了腾讯云计算、新松智能研究院、国青创新等研发机构和平台。

一行人参观网易厦门数字产业中心时，网易负责人介绍，自2021年落户美峰创谷以来，他们定位于集产品、技术、培育、市场、生态等优势资源的企业一体化创新培育平台。

在环东云谷，市科技局党组成员刘源岗为外籍科技特派员们介绍厦门科学城的建设背景、发展思路、战略定位等相关内容。“通过参观‘三谷’及网易公司，外籍人才能深入实地，真正亲身感受如火如荼建设中的科学城。”刘源岗表示，此次参观的外籍人才有来自电气硝子等企业、城环所及海洋三所等科研院所，还包括三位从成都远道而来的专家，希望通过实地考察科学城，他们的项目未来有机会落地在这里。

宜居宜业宜创 产城人高度融合

今年初，我市及同安区陆续出台《加快推进厦门科学城建设若干措施》《支持企业入驻厦门科学城核心区扶持办法》等一揽子政策，从创新创业服务、金融人才保障等多维度支持企业入驻科学城，助力同安新城加快形成产业集聚态势。

除了多项扶持力度大的政策，科学城的周边环境及生活配套设施也令外籍人才们惊叹不已。一行人来到银城智谷的人才公寓参观时纷纷表示，“公寓配套设施齐全，生活便利，环境优美，推窗见海，就像走进了诗意生活中。”来自埃及的AMRO在海洋三所从事科研工作，听完公寓的相关介绍后，他立刻询问工作人员如何申请公寓。刘源岗表示，欢迎大家定居厦门科学城，后续外国人才服务站将协助他们申请智谷人才公寓。

搭建国际交流平台 引进国外创新资源

此次参观让外籍人才们感受颇深。成都岷山功率半导体技术研究院联合创始人兼总经理白杰先(Jesse Parker)来自美国，曾任IBM半导体微电子部门副总裁、软银资本全球基金管理副总裁、Tallwood VC副总裁，拥有超过25年半导体投资经验。他说自己主要从事功率半导体研发及孵化，“厦门科学城的产业政策十分吸引人，厦门的营商环境也非常好。”

当天下午，白杰先还在厦门科技产业化集团做了关于功率半导体技术研究院的运营分享，该研究院通过打造三大服务平台，以发展新技术、开发新产品、提出新解决方案、孵化新公司，打造功率半导体成果转化高地。他现场与参会的十家厦门芯片企业互动交流，探讨在厦落地具体项目的可行性。

中科院城市环境所德国籍研究员Franz在参观完科学城后，甚至认真地给科技局发来一封反馈信，从经济发展及生态系统等方面提出发展科学城的一些建议。他认为，科学城应该具有包容性，除了技术科学之外，还可纳入人文及社会科学，对科学城基础设施建设和环境美化，他也提了一些建议。

天马微电子是一家总部位于上海的半导体公司，如果厦门想要引进天马微电子，可以采取以下几种方式：

1. 与天马微电子进行合作：厦门可以与天马微电子进行合作，共同开发半导体产品，这样可以让天马微电子更多地了解厦门的市场需求和发展潜力，也可以让厦门更好地利用天马微电子的技术和资源。

2. 提供优惠政策：厦门可以为天马微电子提供一些优惠政策，例如税收减免、土地优惠等，以吸引天马微电子在厦门设立分支机构或研发中心。

3. 加强人才引进：厦门可以加强人才引进，吸引更多的半导体专业人才来到厦门，这样可以为天马微电子提供更好的人才支持，也可以为厦门的半导体产业发展提供更多的人才资源。

4. 加强宣传推广：厦门可以加强对天马微电子的宣传推广，让更多的人了解天马微电子的技术和产品，从而吸引更多的客户和合作伙伴，推动厦门的半导体产业发展。

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。 半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等和本征半导体。

1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有部封装，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线，不但引进了设备和净化厂房及动力设备等“硬件”，而且还引进了制造工艺技术“软件”。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。第一期742厂共投资2.7亿元（6600万美元），建设目标是月投10000片3英寸硅片的生产能力，年产2648万块IC成品，产品为双极型消费类线性电路，包括电视机电路和音响电路。到1984年达产，产量达到3000万块，成为中国技术先进、规模最大，具有工业化大生产的专业化工厂。 1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。 1983年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领导小组提出“治散治乱”，集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一个点指西安，主要为航天配套。

1986年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略，即普及推广5微米技术，开发3微米技术，进行1微米技术科技攻关。 1988年，871厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。 1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，建了新厂房的基础上，成立了中外合资公司――上海贝岭微电子制造有限公司。 1988年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司――上海飞利浦半导体公司（现在的上海先进）。 1989年2月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件，振兴集成电路产业”的发展战略。 1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。

1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。 1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司――首钢NEC电子有限公司。 1995年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以CAD为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。 1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。 1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九0九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。 1998年1月18日，“九0八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸圆片的生产能力。 1998年1月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫2000系统，这是我国自主开发的一套EDA系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模达百万门级，支持高层次设计。 1998年2月，韶光与群立在长沙签订LSI合资项目，投资额达2.4亿元，合资建设大规模集成电路（LSI）微封装，将形成封装、测试集成电路5200万块的生产能力。 1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998年3月16日，北京华虹集成电路设计有限责任公司与日本NEC株式会社在北京长城-饭店举行北京华虹NEC集成电路设计公司合资合同签字仪式，新成立的合资公司其设计能力为每年约200个集成电路品种，并为华虹NEC生产线每年提供8英寸硅片两万片的加工订单。 1998年4月，集成电路“九0八”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业771研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998年6月，上海华虹NEC九0九二期工程启动。 1998年6月12日，深港超大规模集成电路项目一期工程――后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。 1998年10月，华越集成电路引进的日本富士通设备和技术的生产线开始验收试制投 片，-该生产线以双极工艺为主、兼顾Bi-CMOS工艺、2微米技术水平、年投5英寸硅片15万片、年产各类集成电路芯片1亿只能力的前道工序生产线及动力配套系统。 1998年3月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发的我国第一个-CMOS微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取得的一项可喜的成绩。 1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品64M同步动态存储器（S－DRAM）。这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。

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