半导体受能量激发后晶体结构变化

半导体受能量激发后晶体结构变化,第1张

半导体受到能量激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带。具有负温度系数的半导体的电阻随温度升高电阻降低。

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。常见的半导体有热敏电阻(如钴、锰、镍等的氧化物)、光敏电阻(如镉、铅等的硫化物与硒化物)。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。

无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。

半导体受到能量激发后,常见的行为不包括价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带。具有负温度系数的半导体的电阻随温度升高电阻降低。

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。常见的半导体有热敏电阻(如钴、锰、镍等的氧化物)、光敏电阻(如镉、铅等的硫化物与硒化物)。

P型半导体:

在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓、铟等形成了P型半导体,也称为空穴型半导体。因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时,缺少一个价电子而在共价键中留下一空穴。P型半导体中空穴是多数载流子,主要由掺杂形成电子是少数载流子,由热激发形成。根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。

首先是半导体是指室温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。半导体是指具有可控导电性的材料,范围从绝缘体到导体。从科学技术和经济发展的角度来看,半导体影响着人们的日常工作和生活,直到20世纪30年代,这种材料才得到学术界的认可。常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等。硅是最有影响力的半导体材料之一。

其次是具有光伏的作用。半导体材料的光伏效应是太阳能电池工作的基本原理。目前,半导体材料的光伏应用已成为热点,是全球增长最快、发展最好的清洁能源市场。太阳能电池的主要材料是半导体材料,判断太阳能电池好坏的主要标准是光电转换率。光电转换率越高,太阳能电池的工作效率就越高。根据所用半导体材料的不同,太阳能电池分为晶体硅太阳能电池、薄膜电池和III-V族化合物电池。

再者是原理是接通电源后,发射结正向连接。在正向电场的作用下,发射区多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此,发射区的电子在外电场的作用下很容易越过发射结进入基区,形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。当然,基区的多数载流子(空穴)也会在外电场的作用下流向发射区,形成空穴电流IEP。然而,由于基区中的低杂质浓度,与来自发射区的电子流相比,

要知道的是在半导体的pn结上施加直流电压,P型区的空穴向N型区移动,N型区的电子向P型区移动。当电子和空穴在pn结界面附近结合时,将发射具有对应于半导体带隙的能量的光。使用带隙大的半导体可以获得高能光,比如可见光;低能光,如红外光,可以通过使用现代宽度小的半导体获得。


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