求教:半导体器件中: LG,DR,FL,MD，CIS,NROM,EE,HV,SOC分别代表什么器件？

LG：logic

DR: dram

FL: flash

MD: microdisplay

CIS: cmos image sensor

NROM: flash项目的一个代号

EE: EEPROM

HV: high voltage

SOC: system on chip

你是中心的吧？

光电效应是一个很重要而神奇的现象，简单来说，具体指在一定频率光子的照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，从能量转化的角度来看，这是一个光生电，光能转化为电能的过程。

光电效应的公式：hv=ek+w。

其中，hv是光频率为v的光子所带有的能量，h为普朗克常量，v是光子的频率，ek是电子的最大初动能，w是被激发物质的逸出功。

一、光电效应的基本性质

1、每一种金属在产生光电效应时都存在极限频率，或称截止频率，即照射光的频率不能低于某一临界值。相应的波长被称做极限波长，或称红限波长，当入射光的频率低于极限频率时，无论多强的光都无法使电子逸出。

2、光电效应中产生的光电子的速度与光的频率有关，而与光强无关。

3、光电效应的瞬时性。实验发现，即几乎在照到金属时立即产生光电流，响应时间不超过十的负九次方秒( 1ns )。

4、入射光的强度只影响光电流的强弱，即只影响在单位时间单位面积内逸出的光电子数目。

二、光电效应的逸出功

逸出功指的是，光照射金属时，电子从金属表面逃逸必须要克服束缚而做的功。

常用单位是电子伏特eV，金属材料的逸出功不但与材料的性质有关，还与金属表面的状态有关，在金属表面涂覆不同的材料可以改变金属逸出功的大小。当外界的光能量低于逸出功时，不会发生光电效应。

三、理解光电效应需注意的几个地方

1、体现的是粒子性。

2、光电效应的发生条件是光子频率必须大于等于截止频率，即光子能量要够大。

3、光电效应发生时间极短，没有滞后。

4、一个光子对应一个电子，激发出来的叫光电子。

5、光的强度增加，指的是单位时间内的光子个数增加。光强的增加会增加电流的大小，不会增加电子的初动能。

扩展资料：

光电效应现象是赫兹在做证实麦克斯韦的电磁理论的火花放电实验时，偶然发现的，而这一现象却成了突破麦克斯韦电磁理论的一个重要证据。

爱因斯坦在研究光电效应时给出的光量子解释，不仅推广了普朗克的量子理论，证明波粒二象性不只是能量才具有，光辐射本身也是量子化的，同时为唯物辩证法的对立统一规律提供了自然科学证据，具有不可估量的哲学意义。

这一理论还为波尔的原子理论和德布罗意物质波理论奠定了基础，密立根的定量实验研究不仅从实验角度为光量子理论进行了证明，同时也为波尔原子理论提供了证据。

1905年，爱因斯坦把普朗克的量子化概念进一步推广。

他指出，不仅黑体和辐射场的能量交换是量子化的，而且辐射场本身就是由不连续的光量子组成，每一个光量子的能量与辐射场频率之间满足ε=hν，即它的能量只与光量子的频率有关，而与强度（振幅）无关。

根据爱因斯坦的光量子理论，射向金属表面的光，实质上就是具有能量ε=hν的光子流。

如果照射光的频率过低，即光子流中每个光子能量较小，当他照射到金属表面时，电子吸收了这一光子，它所增加的ε=hν的能量仍然小于电子脱离金属表面所需要的逸出功，电子就不能脱离开金属表面，因而不能产生光电效应。

如果照射光的频率高到能使电子吸收后其能量足以克服逸出功而脱离金属表面，就会产生光电效应。此时逸出电子的动能、光子能量和逸出功之间的关系可以表示成：光子能量－移出一个电子所需的能量（逸出功）=被发射的电子的最大初动能。

即：Εk(max)=hv-W0，这就是爱因斯坦光电效应方程。

参考资料来源：百度百科：光电效应

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