首先，半导体是一门非常专业的学科，半导体器件仿真肯定需要专业的仿真软件，而通用CAE类的软件是无法解决大多数技术细节问题的，comsol， ansys，abaqus,就是通用CAE软件，据我了解前者在低频电磁，电化学，这一块还可以；中者，包含了很多软件，体系庞大却没好好消化，对这个了解的少，不发表意见；后者，材料，结构、岩土用的多；
其次，半导体器件仿真，这行业里站在高处的大牛，还是用TCAD类的软件较多，可以了解下国内主要做半导体的单位，高校、研究所、企业，基本上都是用这些软件，Synopsys的算一个，Crosslight算一个，NEXTNANO算一个，，，，，等等，其实很简单，你把这些软件放在网上一搜别人做的成果就知道哪些软件用的多，出的成果多；
不过，像Synopsys这类自己就做半导体的这类厂家，考虑到知识产权和保密问题，有一定的知识壁垒，所以这类的软件傻贵傻贵。NEXTNANO算是比较学术的一个，很久之前是开源的，现在借助他们的学校和研究所，正在走商业化，毕竟要存活嘛；
如果要学习TCAD软件也不容易啊，运气好的话，可以碰到技术比较过硬，而且还靠谱的厂家或者工程师，还会多帮忙指导指导；如果碰到只顾卖产品，无技术服务，那就惨了，，，，此为后话，一定要擦亮双眼，多做技术沟通和交流。很多技术型的公司非常乐意做技术交流的，双方互相学习共同提高嘛。
国内自己的自主研发的半导体软件，极少啊；国内做大型的工程计算软件，毕竟在前期缺少了知识储备和经验积累，现在别人制裁，就没辙了，哎，扯远了........
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。
测试种类覆盖7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。
高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）
控制极/栅极电压40V，栅极电流10mA
分辨率最高至1mV / 1nA，精度最高可至0.5%
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”，支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”
第一部分：规格&环境
1.1、 产品信息
产品型号：DCT2000
产品名称：半导体功率器件静态参数测试仪系统
1.2、 物理规格
主机尺寸：深660*宽430*高210(mm)
主机重量：＜35kg
1.3、 电气环境
主机功耗：＜300W
海拔高度：海拔不超过4000m；
环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；
相对湿度：20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；
大气压力：86Kpa～106Kpa；
防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；
电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；
工作时间：连续；
第二部分：应用场景和产品特点
一、应用场景
1、 测试分析 （功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为曲线追踪仪）
2、 失效分析 （对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案）
3、 选型配对 （在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）
4、 来料检验 （研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）
5、 量产测试 （可连接机械手、扫码q、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）
6、 替代进口 （DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品）
二、产品特点
1、程控高压源10~1400V，提供2000V选配；
2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A选配；
3、驱动电压10mV~40V
4、控制极电流10uA~10mA；
5、16位ADC，100K/S采样速率；
6、自动识别器件极性NPN/PNP
7、曲线追踪仪，四线开尔文连接保证加载测量的准确
8、通过RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验
9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等）
10、半导体功率器件静态参数测试仪系统能测很多电子元器件（如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等）；
11、半导体功率器件静态参数测试仪系统能实现曲线追踪仪（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) ）
12、结电容参数也可以测试，诸如Cka，Ciss，Crss，Coss；
13、脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需外挂升温装置；
14、Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin），连接分选机最高效率1h/9000个；
15、半导体功率器件静态参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用；
第三部分：产品介绍
3.1、产品介绍
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件静态参数测试仪系统的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全新一代“半导体功率器件静态参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。
半导体功率器件静态参数测试仪系统脉冲信号源输出方面，高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流10mA，分辨率最高至1mV / 30pA，精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。
产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器，还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。
半导体功率器件静态参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让 *** 作人员在夹具上实现一点即测。 *** 作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本，方便快捷的完成曲线追踪仪。
3.2、人机界面（DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统）
第四部分：功能配置
4.1、 配置选项
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的功能配置如下
4.2、 适配器选型
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的适配器有如下
4.3、 测试种类及参数
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的测试种类和参数如下
(1)二极管类：二极管 Diode
Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；
(2)二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）
Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka；
(3)二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）
Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；
(4)二极管类：三端肖特基二极管SBD（SchottkyBarrierDiode）
Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；
(5)二极管类：瞬态二极管 TVS
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；
(6)二极管类：整流桥堆
Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；
(7)二极管类：三相整流桥堆
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；
(8)三极管类：三极管
Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts（选配）、Value_process；
(9) 三极管类：双向可控硅
Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；
(10)三极管类：单向可控硅
Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm；
(11)三极管类：MOSFET
Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；
(12)三极管类：双MOSFET
Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss；
(13)三极管类：JFET
Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss；
(14)三极管类：IGBT
Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；
(15)三极管类：三端开关功率驱动器
Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt；
(16)三极管类：七端半桥驱动器
Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt；
(17)三极管类：高边功率开关
Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt；
(18)保护类：压敏电阻
Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr
(19)保护类：单组电压保护器
Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；
(20)保护类：双组电压保护器
Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；
(21)稳压集成类：三端稳压器
Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk；
(22)稳压集成类：基准IC（TL431）
Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka；
(23)稳压集成类：四端稳压
Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk；
(24)稳压集成类：开关稳压集成器
选配；
(25)继电器类：4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器
Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）；
(26)光耦类：4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦
Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；
(27)传感监测类：
电流传感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（选配）；
霍尔器件（MT44XX系列、A12XX系列）（选配）；
电压监控器（选配）；
电压复位IC（选配）；
曲线追踪仪
第五部分：性能指标
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的性能指标如下
5. 1 、 电流/电压源 （ VIS ） 自带VI测量单元
（1）加压(FV)
量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV
量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV
量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV
量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV
量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV
（2）加流(FI)
量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA
量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA
量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA
量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA
量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA
量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA
量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA
说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调
（3）电流测量(MI)
量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA
量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA
量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA
量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA
量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA
量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA
量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA
（4）电压测量(MV)
量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV
量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV
量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV
量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV
5. 2 、 数据采集部分 （ VM ）
16位ADC，100K/S采样速率
（1）电压测量(MV)
量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%读数值±200mV
量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%读数值±20mV
量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%读数值±10mV
量程±10V分辨率153uV精度±0.1%读数值±5mV
量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%读数值±2mV
量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%读数值±2mV
（2）漏电流测量(MI)
量程±100mA分辨率30uA精度±0.2%读数值±100uA
量程±10mA分辨率3uA精度±0.1%读数值±3uA
量程±1mA分辨率300nA精度±0.1%读数值±300nA
量程±100uA分辨率30nA精度±0.1%读数值±100nA
量程±10uA分辨率3nA精度±0.1%读数值±20nA
量程±1uA 分辨率300pA精度±0.5%读数值±5nA
量程±100nA分辨率30pA精度±0.5%读数值±0.5nA
（3）电容容量测量(MC)
量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF
量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF
5. 3 、 高压源 （ HVS ） (基本)12位DAC
（1）加压(FV)
量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV
量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%设定值±50mV
量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%设定值±5mV
（2）加流(FI)：
量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%设定值±10uA
量程2mA分辨率381nA精度±0.5%设定值±2uA
量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%设定值±200nA
量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%设定值±20nA
量程2uA分辨率381pA精度±0.5%设定值±20nA
DCT2000 半导体功率器件静态参数测试仪系统 能测很多电子元器件 （ 如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等 ） 产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂.....
这些型号好多厂家都会生产,但是每个厂家的具体参数有可能不通,所以您要先弄清楚需要哪个厂家 就可以去厂家的网站 进行查找了.A INTECH(美国英特奇公司)
A- INTECH(美国英特奇公司
AC TEXAS INSTRUMENTS [T1](美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
AD ANALOG DEVICES(美国模拟器件公司) http://www.analog.com/
AM ADVANCED MICRO DEVICES（美国先进微电子器件公司） http://www.advantagememory.com/
AM DATA-INTERSIL(美国戴特-英特锡尔公司) http://www.datapoint.com/
AN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
AY GENERAL INSTRUMENTS[G1](美国通用仪器公司)
BA ROHM(日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司) http://www.rohmelectronics.com/
BX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CA RCA(美国无线电公司)
CA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
CA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
CAW RCA(美国无线电公司)
CD FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
CD RCA(美国无线电公司)
CIC SOLITRON(美国索利特罗器件公司)
CM CHERRY SEMICONDUCTOR(美国切瑞半导体器件公司) http://www.cherry-semi.com/
CS PLESSEY(英国普利西半导体公司)
CT SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXA SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXD SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXK DAEWOO(韩国大宇电子公司)
DBL PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
DN AECO(日本阿伊阔公司)
D...C GTE(美国通用电话电子公司微电路部)
EA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
EEA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EF THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EFB PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
EGC THOMSON-SGF(法国汤姆逊半导体公司)
ESM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
F FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
FCM FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
G GTE(美国微电路公司)
GD GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GL GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GM GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
HA HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
HD HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
HEF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
HM， HZ HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
ICL， IG INTERSIL(美国英特锡尔公司)
IR， IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
ITT， JU ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
KA， KB SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KC SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
KDA SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KIA， KID KEC(韩国电子公司)
KM KS SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
L SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
L SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LA SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LB SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
LF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
LF NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH LK SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
LM SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LM SIGNETICS(美国西格尼蒂公司) http://www.spt.com/
LM FAIRCILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
LM SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
LM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
LM MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
LM SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
LP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LR LSC SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
M SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
M MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MA ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MAX （美国）美信集成产品公司 http://www.maxim-ic.com/ http://www.maxim-ic.com.cn/
MB FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MBM FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MC MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MC PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
MC ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MF MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MK MOSTEK(美国莫斯特卡公司)
ML PLESSEY(美国普利西半导体公司)
ML MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司) http://www.mitelsemi.com/
MLM MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
MN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
MN MICRO NETWORK(美国微网路公司)
MP MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MPS MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MSM OKI(美国OKI半导体公司) http://www.oki.com/
MSM OKI(日本冲电气有限公司) http://www.oki.com/
N NA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NC NITRON(美国NITROR公司)
NE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
NE MULLARD(英国麦拉迪公司)
NE SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
NJM NEW JAPAN RADIO(JRC)(新日本无线电公司)
OM PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
OM SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
RC RAYTHEON(美国雷声公司)
RM RAYTHEON(美国雷声公司)
RH-IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
S SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
S AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)
SA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAA GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
SAA ITT(德国ITT-半导体公司) http://www.ittcannon.com/
SAB SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAB AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAF SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAK PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SAS HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
SAS AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAS SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SDA (德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SC SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SG SILICON GENERAL(美国通用硅片公司) http://www.ssil.com/
SG MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
SG PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SH FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
SI SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SK RCA(美国无线电公司)
SL PLESSEY(英国普利西半导体公司)
SN MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
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