为什么半导体采用单击Si?

要弄懂这个问题先从“化学元素周期表”学起，再去看看半导体行业的发展史。

在电子元器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅,锗等；化合物半导体，如砷化镓等。其中硅是目前最常用的一种半导体材料。

就硅和锗的制造而言，其原材料不同和制造工艺有差别，而目前的社会生产中，单晶硅的制造更为普遍。

就硅和锗的特性而言，输入特性：锗管导通电压低（0.2-0.3v），硅管导通电压高（0.6-0.7v）。饱和压降：锗管饱和压降比硅管小（锗管的优点）。击穿电压：硅管相对锗管更适应电压较高场合。温度特性：温度上升对硅管的漏电流影响小，即硅管有更好的耐高温性能。

A．硅（元素符号为Si）的原子结构示意图为

，最外层为4个电子，单质硅是一种良好的半导体材料，故A正确；

B．纯净的二氧化硅是现代光学及光纤制品的基本原料，二氧化硅是光导纤维的主要成分，故B正确；

C．二氧化硅是H 2 SiO 3 的酸酐，但不溶于水，也与水不反应，故C错误；

D．地壳中元素含量的顺序由多到少的顺序为：氧、硅、铝、铁、钙、钠、钾、镁、氢等，故D正确；

故选C．

我个人认为从禁带宽度论述比较合理。就上述三种材料来讲，Si的带宽为1.12eV属窄禁带半导体，GaAs和SiC为宽紧带半导体材料，材料的一些主要性能都由它们的带宽和能带结构决定，所以应从能带论入手。由于禁带宽度的不同，它们的工作极限工作温度有所差异，吸收光的范围也有所差异。掺杂原理则一般均为替位式掺杂。至于应用领域不可一言以蔽之。

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