1、电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。
2、利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、IIIV族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件。这类测量的基本特征非常适用于各种应用和培训。
半导体参数分析仪(器件分析仪)是一种集多种测量和分析功能于一体的测试仪器,可准确执行电流-电压(IV)和电容测量(CV(电容-电压)、C - f(电容-频率)以及 C – t(电容-时间)测量),并快速、轻松地对测量结果进行分析,完成半导体参数测试。半导体参数测试是确定半导体器件特征及其制造过程的一项基础测量。在参数测试中,通常需要进行 IV 测量,包括分辨率低至 fA(毫微微安培)的小电流测量和高达 1 MHz 的CV 测量,并对主要特征/参数进行分析。虽然半导体参数分析仪的设计初衷是进行半导体评测,但因其优越的性能、强大的功能以及出色的易 *** 作性,现已在各种材料、器件和电子器件的 IV 和 CV 表征中得到广泛应用。
半导体参数分析仪可为表征任务提供更高的性能、更强的可用性以及更高的效率。参数分析仪集多种测量资源于一身,可轻松进行 IV 和 CV 测量,无需汇集或集成多种仪器,例如电源、电压表、电流表、LCR 表、开关矩阵等。参数分析仪的主要测量元器件是电源/测量单元(SMU)。SMU 是一种将电压/电流源功能和电压/电流表功能结合于单一模块中的测量模块。由于该参数分析仪将电源和测量电路紧密集成,所以相比使用多种独立仪器进行相同测量来说,可以提供更高的精度、分辨率以及更小的测量误差。
此外,参数分析仪还具有分析功能,使您无需借助外部 PC 便可快速地交互检查和分析显示屏上的测量结果。由于半导体参数分析仪具有多种功能,因此适用于从探索分析到自动测试的各种测量环境。
会。测的CV曲线是有向上或者向下的两个峰的,用锂电池的术语来说就是氧化和还原峰。
CV曲线是由控制顶点控制的NURBS曲线。是用来测量半导体材料和器件的一种方法。该测量方法可以得到关于半导体掺杂,晶体缺陷之类的特性。
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