芯片是怎么做成的

芯片是怎么制作出来的如下：

一、芯片设计。

芯片属于体积小，但高精密度极大的产品。想要制作芯片，设计是第一环节。设计需要借助EDA工具和一些IP核，最终制成加工所需要的芯片设计蓝图。

二、沙硅分离。

所有的半导体工艺都是从一粒沙子开始的。因为沙子中蕴含的硅是生产芯片“地基”硅晶圆所需要的原材料。所以我们第一步，就是要将沙子中的硅分离出来。

三、硅提纯。

在将硅分离出来后，其余的材料废弃不用。将硅经过多个步骤提纯，已达到符合半导体制造的质量，这就是所谓的电子级硅。

四、将硅铸锭。

提纯之后，要将硅铸成硅锭。一个被铸成锭后的电子级硅的单晶体，重量大约为1千克，硅的纯度达到了99.9999%。

五、晶圆加工。硅锭铸好后，要将整个硅锭切成一片一片的圆盘，也就是我们俗称的晶圆，它是非常薄的。随后，晶圆就要进行抛光，直至完美，表面如镜面一样光滑。硅晶圆的直径常见的有8英寸（2mm）和12英寸（3mm），直径越大，最终单个芯片成本越低，但加工难度越高。

六、光刻。首先在晶圆上敷涂上三层材料。第一层是氧化硅，第二层是氮化硅，最后一层是光刻胶。再将设计完成的包含数十亿个电路元件的芯片蓝图制作成掩膜，掩膜可以理解为一种特殊的投影底片，包含了芯片设计蓝图，下一步就是将蓝图转印到晶圆上。这一步对光刻机有着极高的要求。紫外线会透过掩膜照射到硅晶圆上的光刻胶上，光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩膜上的一致。用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。蚀刻完成后，清除全部光刻胶，露出一个个凹槽。

七、蚀刻与离子注入。首先要腐蚀掉暴露在光刻胶外的氧化硅和氮化硅，并沉淀一层二氧化硅，使晶体管之间绝缘，然后利用蚀刻技术使最底层的硅暴露出来。然后把硼或磷注入到硅结构中，接着填充铜，以便和其他晶体管互连，然后可以在上面再涂一层胶，再做一层结构。一般一个芯片包含几十层结构，就像密集交织的高速公路。

经过上述流程，我们就得到了布满芯片的硅晶圆。之后用精细的切割器将芯片从晶圆上切下来，焊接到基片上，装壳密封。之后经过最后的测试环节，一块块芯片就做好了。

半导体元件固化其实就是半导体封装工艺，采用精密热风循环烘箱，给你一个例子：

名称：精密热风循环烘箱/工业烘箱

型号：EHJ-480

温度范围：RT+20~250℃

温度分辨率：0.1℃

温度均匀性：±1.5%

温度波动度：<±0.5℃

内 部 尺寸：W800*D600*H1000（mm)（根据自己要求）

外 部 尺寸：W1250*D810*H1660(mm)

升 温 速率：<50min （室温~250℃）

电源：AC 380v 50HZ

功率：6KW

工作环境：5~35℃

二、产品用途：

EHJ系列精密热风循环烘箱符合JB/T 5502-91 干燥箱行业技术规范，具有升温速度快，控温精准，稳定性好，寿命长久等特点，广泛应用于电子制造，化工医药、精密制造，航天，实验室等行业物料及产品的烘烤，加热干燥，固化，芯片落地寿命恢复，油墨烘干，烤漆等工艺。

三、产品特点：

1.外壳：采用优质1.0mm厚冷轧钢板粉底烤漆工艺制成，具有外观整洁大方，耐刮伤。

2.内胆：采用1.0mm厚SUS304拉丝不锈钢材质，耐酸碱，抗腐蚀，易清洁。

3.风道：采用双风道设计，可依据客户要求选择水平风，垂直风等多种循环风，确保箱内温度均匀性极佳。

4.温控：采用日本富士PID智能温控器，LED数字显示及设定、P.I.D自动演算,SSR固态输出，精准度高，控温精准，温度分辨率0.1， *** 作简便，自带温度信号断线报警功能，可升级至多段程序控制，满足复杂工艺要求。

5.温度传感器：采用不锈钢铠甲覆套式PT100铂电阻温度传感器，误差<0.5.信号传输线抗干扰，铁氟龙覆套，可耐高温 400度。

6.加热管：采用SUS304覆套式加热器，发热均匀，耐高烧，无明火，安全无污染，寿命长久。

7.鼓风装置：采用长轴耐高温马达，不锈钢涡轮扇叶，风量50m2/h。

8.保温层：采用优质硅酸盐棉材料填充，防火阻燃，保温效果好。

9.密封胶条：采用优质硅橡胶材质，密封性好，耐高温（最高耐温350度），抗老化，卫生无污染。

10.排风：采用可调节式排风装置，自由调节风口大小，可加装强排风装置，实现快速降温。

11.计时装置：HS48S时间继电器，时间设定范围0.1S~9999H

12.电器：采用韩国LG交流接触器，欧姆龙中间继电器，开关，信号灯采用国产正泰优质电子器件，保证安全性高，电器工作稳定，寿命长久。

13.其它功能：欠压缺相保护，超温报警（自动切断加热），马达过载保护，时间到达警示功能。

（ENOHK伊诺华科友情提醒）

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