为什么半导体三极管又称为双极性管？？？？

半导体三极管之所以叫双极性晶体管是因为导电时有两种粒子参与导电，以NPN管为例，中间是P形，两边是N形，等于就是两个PN结，电子由发射极（假设以他在左边为例）的N区开始经正向电压到达P区，再由集电极那边的反偏电压把电子扫向右边（集电极）的N区，于此同时，空穴也也在电场的作用下，与电子的运动方向相反的方向运动，电子和空穴的一起运动构成了NPN管 的电流，因为他有电子和空穴两种粒子参与导电，所以称为双极性晶体管，与之对应的是单极性晶体管，也就是MOS管，他只有电子或者空穴的其中一种参与导电。！ 大概就是这么个情况吧 打字辛苦，给分吧 楼主

这两种管的结构和作用都不相同，如下所示：

1，双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。

2，单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管。只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极。特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路。

单极器件和双极器件的单双指的是载流子的类型。双极器件内部有两种载流子参与导电，比如双极结型晶体管，也就是常说的三极管，存在两对PN结，电流来自于两种载流子的扩散电流。单极器件则是只有一种载流子参与导电的器件，比如MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）。其栅极控制栅下方的沟道反型形成二维电子气或者二维空穴气，所以参与导电过程的只有电子或者空穴，而不是两种载流子同时参与。由此可见单极器件一般可达到的电流要小于双极器件。因此在大电流应用的领域中一般要采用双极器件，比如最近几年兴起的IGBT。但是双极器件往往是PN结组成的器件，其漏电往往较高，因此在静态情况下需要低损耗的领域需要采用单极器件，比如现在的集成电路，都是CMOS工艺，其中主要器件都是MOSFET。

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