P型半导体和N型半导体如何形成的？

一、N型半导体

N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

形成原理

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度。

二、P型半导体

P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

形成

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

扩展资料

特点：

（一）、N型半导体

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

（二）、P型半导体

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

参考资料来源：百度百科-N型半导体

参考资料来源：百度百科-P型半导体

1.反向击穿特性

2.共发射极组态(电压放大倍数大) 共集电极(带负载能力强) 共集电极(信号源输出电流小) 共基极(高频电路)

3.N型半导体 多子为自由电子 少子为空穴

4.对称性的特点.抑制零点漂移能力,放大差模信号 抑制共模信号

5.直流通路确定Q点 交流通路确定信号传输途径.

6.电击穿可逆 热击穿会烧坏二极管

7.P区接高电位 N区接低电位

8.共发射极/共基极/共集电极

9.D触发器 Qn+1=D JK触发器Qn+1=J非Qn+K.Qn非 T触发器 Qn+1=T异或Qn

(没办法输入逻辑符号 你要是学过应该看得懂吧)

10.同上 符号没办法输入

11.循环码 1位不同

零点漂移原因:电路中的三极管和其他元器件的参数受温度变化的影响发生了改变 导致放大器的Q点随温度变化 在输出端 输出电压偏移起始值

内部原因:发射区掺杂最大 基区最薄 集电区面积最大

外部原因:发射结正偏 集电结反偏

后面的计算题你没图就没办法算了哈

不过都挺简单的

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百分百保证我回答的问题绝对正确 因为我就是教这个的老师!

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