在大全多晶硅厂氯碱车间有什么岗位，哪个岗位好呢？在此谢谢各位。。。。。

大全多晶硅厂氯碱车间主要分为一次盐水，电解，氯氢，液氯，公用工程，配电，集控等工段，其中电解和氯氢是主要工段，主要工作大部分时间是巡检，一般要求是一小时巡检一次，大部分时间是很自由的，没有什么力气活，其中比较好的岗位是DCS，化验，仪表，ICP等几个岗位都很适合女孩做，男生建议去电解和氯氢，工资分地区。

扩展资料：

多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。

利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

1理化性质

多晶硅多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金属光泽，密度2.32~2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

2相关用途

多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。

3生产技术

多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。该工艺将工业硅粉与HCl反应，加工成SiHCl3，再让SiHCl3在H2气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅。还原炉排出的尾气H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2和HCl经过分离后再循环利用。硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。改良西门子法和硅烷法主要生产电子级晶体硅，也可以生产太阳能级多晶硅。

（1）电解饱和食盐水生成氢氧化纳、氢气和氯气，离子反应为2Cl-+2H2O 

通电  .

2OH-+H2↑+Cl2↑，故答案为：2Cl-+2H2O 

通电  .

2OH-+H2↑+Cl2↑；

①石英砂的主要成分是二氧化硅，制备粗硅发生SiO2+2C

高温  .

Si+2CO↑，C元素的化合价升高，则焦炭作还原剂，故答案为：SiO2；还原剂；

②粗硅与氯气反应后得到沸点较低的液态四氯化硅，其中常混有一些高沸点、难挥发性杂质，因沸点不同，则分离提纯法选蒸馏法，故答案为：分馏；

③四氯化硅与氢气在高温条件下反应得到高纯硅和氯化氢气体，该反应为SiCl4+2H2

高温  .

Si+4HCl，故答案为：SiCl4+2H2

高温  .

Si+4HCl；

（2）乙烯与氯气加成反应生成1，2二氯乙烷，CH2=CH2+Cl2→CH2Cl-CH2Cl，1，2二氯乙烷高温发生消去反应生成CH2=CHCl；然后CH2=CHCl发生加聚反应生成聚氯乙烯：nCH2=CHCl

催化剂

，故答案为：加成；加聚；CH2=CH2+Cl2→CH2Cl-CH2Cl；nCH2=CHCl

催化剂

；

（3）（1）和（2）反应都有副产物氯化氢生成，故答案为：盐酸．

（1）漂白粉的主要成分为氯化钙、次氯酸钙，则漂白粉为混合物，利用氯气与石灰乳制备漂白粉，该反应为Ca（OH）2+2Cl2=CaCl2+Ca（ClO）2+2H2O，

故答案为：混合物；Ca（OH）2+2Cl2=CaCl2+Ca（ClO）2+2H2O；

（2）①石英砂的主要成分是二氧化硅，制备粗硅发生SiO2+2C

高温  .

Si+2CO↑，C元素的化合价升高，则焦炭作还原剂，故答案为：还原剂；

②粗硅与氯气反应后得到沸点较低的液态四氯化硅，其中常混有一些高沸点、难挥发性杂质，因沸点不同，则分离提纯法选蒸馏法，故答案为：A；

③四氯化硅与氢气在高温条件下反应得到高纯硅和氯化氢气体，该反应为SiCl4+2H2

高温  .

Si+4HCl↑，故答案为：SiCl4+2H2

高温  .

Si+4HCl↑．

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