测量禁带宽度
1:利用紫外见漫反射测量吸光度与波数据作图利用截线做吸收波阈值 λg(nm)利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度
2:利用 (Ahν)2 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值利用(Ahν)0.5 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值前者间接半导体禁带宽度值者直接半导体禁带宽度值 A (Absorbance) 即紫外见漫反射吸光度
3:利用 (αhν)2 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值利用(αhν)0.5 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值前者间接半导体禁带宽度值者直接半导体禁带宽度值 α (Absorption Coefficient ) 即紫外见漫反射吸收系数α 与 A 比
般两种:
1、紫外-见光谱测量材料吸收边带隙;
百度资料
2、电化(循环伏安)测定带隙、HOMO/LUMO能级;
Ref:Adv. Mater. 2011, 23, 2367–2371
磷杂质是5价原子,它的5个价电子中有4个与硅原子结合成共价键,多出一个电子。 在温度极低时, 这个多出的电子才有可能束缚在磷原子周围。而在一般条件下,绝大多数磷原子的这个多出的电子都是电离了的。 说明激发这个多出的电子到导带所需要的能量 要比激发那些共价键里的电子(就是那些还在价带里的电子)所需的能量少很多很多啊,就是说激发这个电子进入导带容易得多。 所以,磷原子所在的施主能级应该离导带很近才对(而不是离价带近),才符合刚才的现象。 同样的,对应受主杂质的能级,如3价元素碰,应该离价带近,离导带远。不知道我是否说清楚了,有不妥的地方,只因水平有限,所以还请见谅欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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