半导体线宽产生原因

半导体线宽产生原因是需要进行调制来传输信号的。根据查询相关公开信息显示，带宽指的是加载到激光器上的最高调制频率，超过这个频率，信号传输就会乱码。另外带宽与线宽是不一样的，线宽实际上是激光器的谱宽，通常对于不同种类不同应用的激光器会有线宽限制要求，调制分文直接调制和间接调制，通常低速（10G以下）采用直接调制，这种调制会导致线宽变宽，由于光纤色散作用，激光器谱宽变宽就会加剧色散，色散严重就会导致信号乱码，另外在附加说下还有间接调制方式，这种调制就是为了克服直接调制加剧色散而采用的新调制方式，通常有集成式的电吸收调制，还有外加比如铌酸锂调制器调制。

我来回答一下，本人某电微电子科学与工程专业，有表述不当之处，望批评指正。影响半导体禁带宽度的因素主要有两种：温度与掺杂浓度。（以si、Ge、GaAs半导体为主）1、半导体禁带宽度具有负温度系数： 从原子到晶体，经过价键杂化（即：sp3杂化），一条原子能级一般对应多个能带。当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的。（这里解释一下，虽然原子间距增大了，并且能带宽度变窄了，但是此时有多条能带，相对来说，禁带宽度是变小的）；2、掺杂浓度升高时，由于杂质能级的出现，可能导致禁带宽度变窄：其实这一点从本质来解释是不太好理解的，我这里举个例子，再给出我个人的一些理解，希望可以帮助你理解这一点。例：在BJT中，发射区高掺杂会导致禁带宽度变窄。我个人理解是，有了杂质能级的加入，导电性增强，就像把禁带宽度一分为二，原先的阻碍减少了一部分，相当于禁带宽度变窄了。（纯属个人理解）

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