Dry etch的话,主要是将一些气体电离成离子态,然后用电磁加速打向目标,与目标材料反应~
其实我觉得你说的这两个东西其实不是一个横向可比的东西。。
etch可以根据腐蚀是否有方向性分为 Anisotropic 和 Isotropic两种。
如果以用作蚀刻的材料来分,可以分为wet(比如上面说的KOH)和dry(典型是RIE,Reactive Ion Etch)两种。
如果硬要比的话,dry etch要比anisotropic etch好,因为dry etch可以提供一个非常好的side wall~就是说蚀刻后的那个洞的内壁和底部可以做到几乎垂直~不过具体效果要看dry etch的方法和材料以及目标材料~
主要是对硅晶片(Siwafer)的一系列处理
1、清洗
->
2、在晶片上铺一层所需要的半导体
->
3、加上掩膜
->
4、把不要的部分腐蚀掉
->
5、清洗
重复2到5就可以得到所需要的芯片了
Cleaning
->
Deposition
->
Mask
Deposition
->
Etching
->
Cleaning
1、中的清洗过程中会用到硝酸,氢氟酸等酸,用于清洗有机物和无机物的污染
其中Deposition过程可能会用到多种器材,比如HELIOS等~
Mask
Deposition过程中需要很多器材,包括Spinner,Hot
plate,EVG等等~
根据材料不同或者需要的工艺精度不同,Etching也分很多器材,可以使用专门的液体做Wet
etch,或者用离子做Plasma
Etching等
最后一部的Cleaning一般是用Develpoer洗掉之前覆盖的掩模~
多数器材都是Oxford
Instruments出的
具体建议你去多看看相关的英文书,这里说不清楚。。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)