日本占全球氟聚酰亚胺和光刻胶总产量的90%，全球半导体企业70%的氟化氢需从日本进口。日本对韩国实施出口管制后，韩国半导体企业和面板企业三星和LG等公司将受到冲击。另一方面，国产光刻胶有望迎来机会。
相关公司方面，据选股宝主题库（xuangubao.cn）光刻机板块显示，
晶瑞股份：参股公司苏州瑞红是国内光刻胶龙头之一；公司是国内最早规模化生产光刻胶的企业之一，在国内率先实现目前集成电路芯片制造领域大量使用的核心光刻胶的量产
南大光电：参股公司北京科华开发的248nm光刻胶目前已通过包括中芯国际在内的部分客户的认证
强力新材：公司从事半导体KrF光刻胶用光酸、光酸中间体以及聚合物用单体的生产及销售，光酸中间体已商业化量产，光酸及单体已向主要KrF光刻胶企业认证，销售。
更多公司见光刻机板块显示，
*风险提示：股市有风险，入市需谨慎
为了应对美国的芯片禁令，国内市场的那些被美系技术所垄断的设备、材料入手，展开了有针对性的破局行动。
在中科院、清北高校等顶尖科研机构以及华为等先进 科技 企业的团结努力下，被美企垄断的 蚀刻机 、 离子注入机 、 薄膜生长材料 、 抛光清洗机 等关键设备材料，先后被中微半导体、中国电科等国产企业突破。
就连ASML认为我们造不出的光刻机，也传来了好消息。
上海微电子自研的光刻设备已经来到了28nm精度，且完成了技术检测与认证， 预计年底便可下线商用 。继清华大学突破EUV光源技术之后，中科院旗下的上海“光机所”，也熟练掌握了可以有效提升光刻分辨率的OPC技术。
或许目前我们拥有的设备技术不如老美的好看好用，但用来应付垄断，却可以堪当大任 。
随着国内市场“去美化”步伐的提速， 万众瞩目的“中国芯”终于迎来了开花结果 。
电子信息研究院温晓君已正式表态： 国产28nm芯片将于今年实现量产，14nm芯片会在2022年进入国内市场。
在中低端领域逐渐站稳脚跟的国产芯片，接下来必然会快速地向高端领域进军，突破老美的封锁指日可待。
然而，谁曾想到，在这关键时刻，却又跳出来了个落井下石的小丑， 给国产芯片一片光明的突围之路增添了未知的变数 。
据外媒报道，日本方面做出断供我国市场高端光刻胶的决定，而它的越信化学公司，已经正式对外宣布，将不再计划向中企出手Krf光刻胶。
光刻胶是芯片制造不可或缺的材料，在该领域， 日本越信化学公司一直是业内核心，占据了全球约90%的市场份额 ，全球除了它之外，也只有老美能勉强在高端光刻胶领域做到自给自足。
日本的突然断供，可谓是给了正在全力突围老美封锁的国产芯片一记闷棍 。
不过换个角度来看，既然我们意在打造一条自主可控的半导体产业链，那么 潜在的问题和对手能够早些浮出水面并不是一件坏事 。这或将让我们重新审视破冰的方向，若不想再被“卡脖子”， 仅仅是“去美化”还不够，实现“国产化”才是正确的路 。
尤其是对于日本， 历史 的烙印永远无法抹去。除了光刻胶断供一事，近期索尼公司的辱华事件，更是值得所有人警醒。
笔者虽位卑，但未敢忘忧国。在无数国人高喊让索尼滚出中国的同时，包括光刻胶领域在内，我们也该跟它做个了断了！
令人振奋的是， 国产企业没有让我们失望，继南大光电突破Krf光刻胶核心技术后，上海新阳则更进一步 。
据公开资料显示，上海新阳已经完成了对高端光刻胶的开发，目前处于商用测试阶段。从布局规划来看， 如果顺利的话，国产高端光刻胶于2022年便可实现小批量销售，2023年便可大规模量产 。
在光刻胶的研发上，国产企业正在加速完成对日本企业的替代。
这样的好消息实在是解气。笔者个人认为，国内市场无论有求于谁，都坚决不能有求于日本。
国产半导体产业的图强和发展固然重要，但更重要的是，前辈们用血和肉捍卫的民族尊严坚决不容触碰。
近日，半导体领域迎来重磅消息，南大光电的ArF光刻胶取得突破，国产光刻胶终于来了！
南大光电光刻胶突破
早在5月30日，南大光电就已经发布公告称，公司自主研发的ArF光刻胶产品通过客户认证，具备55nm工艺要求。
7月2日，有报道称，南大光电的ArF光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。
这都在表明，国产光刻胶终于不再受制于人，而是实现国产化了。
芯片在制造过程中，除了硅这种主要材料之外，一些辅助材料也至关重要，其中有一种名为光刻胶的材料，在芯片制造过程中必不可少，然而，这个材料却长期被日本垄断，中国也在这方面一直被卡脖子。
而最近传出的一个消息，对我国半导体的发展非常不利，日本对中国供应的光刻胶出现了“断供”的现象。美国召开G7峰会后，日本宣布光刻胶断供中国，日本信越化学等光刻胶企业开始限制供应ArF光刻胶产品。
断供光刻胶，对半导体行业的人而言并不陌生，2019年日韩贸易冲突白热化，日本就断供了光刻胶，导致当时全球最大的芯片厂商三星陷入了困境之中。
虽然韩国积极向日本低头求和并开展自救，但芯片生产依然受到巨大影响，间接推动了2020年的芯片短缺。
巧妇难为无米之炊，没有了光刻胶，对于中国的晶圆厂而言是巨大的打击，芯片生产将被迫停止！
好在，光刻胶的国产化进程并不慢，日企断供短短半年时间，南大光电就已经将国产光刻胶投入市场中了。
南大光电，成立于2000年12月，是以南京大学国家863计划研究成果作为技术支持的中国高纯金属有机化合物MO源的产业化基地。
1986年，863计划启动，在高济宇院士的支持和指导下，学者孙祥祯牵头进行MO源的技术攻关。MO源是一种禁运物资，更是生产化合物半导体的源头材料，对我国国防安全、高 科技 民族工业有重要意义。
历经重重困难，孙祥祯带领的课题组终于研制出了纯度大于5.5N的多个品种的MO源，全面向国内近20家研究单位供货，缓解了我国对MO源的急求。
这项工艺不仅促进了国防工业的发展，更为国内化合物半导体材料的发展奠定了原始的基础。
孙祥祯退休后，带领年轻人创立了南大光电，注册资本3770万元，生产拥有自主知识产权的高纯金属有机化合物，是国内唯一实现MO源产业化的企业，公司的技术主要来源便是南京大学863计划中的项目。
公司主要产品有三甲基镓，三甲基铟，三甲基铝，二茂镁等十几种MO源，在产品的合成、纯化、分析、封装、储运及安全 *** 作等方面已达到国际先进水平，产品远销日本、韩国、欧洲市场，并占有大陆70%的市场份额。
作为国内唯一将半导体光学原材料实现量产的企业，南大光电对于光刻胶可以说十分熟悉，也是最有可能突破光刻胶技术的企业。
中国半导体在崛起
光刻胶到底是做什么用的呢？
芯片生产过程中，需要用光学材料将数以万计的电路刻在小小的7nm的芯片上，而这种辅助的光学材料，就是光刻胶。
在光刻胶领域，材料主要分为四种，分别为g线、i线、KrF、ArF光刻胶，半导体工艺越高，光刻机的精度越高，照射的光线频率越高，波长越短。
光刻胶的分辨率会随着光线频率的改变而不断变化，基本的演进路线是：g线（436nm） i线（365nm） KrF（248nm） ArF（193nm） F2（157nm） EUV（
其中，ArF光刻胶的制造难度是最高的，这也是14nm/7nm芯片制造过程中不可或缺的原材料。
芯片的工艺也分等级，平板电脑、 汽车 芯片等工艺水平并不高，这各等级的芯片中国已经实现了从光刻机到芯片的完全自主化生产。真正困难的在于7nm的芯片，也就是华为遭到断供的手机芯片。
这种工艺的手机芯片，不仅需要荷兰ASML先进的EVU光刻机来生产，更需要高端的光刻胶作为辅助材料，以及大量的芯片原材料，才能成功生产出华为手机所需要的芯片。
光刻机被美国和荷兰的公司垄断，现在EVU光刻机对中国处于断供状态，中芯国际花了12亿购买的EVU光刻机至今仍未到货；
芯片原材料，虽然国内已有部分原材料实现自主生产，但是硅片、光掩模、电子特气、抛光材料、溅射靶材、光刻胶以及湿电子化学品这其中原材料完全依赖进口。
在全球光刻胶市场，日本东京应化，JSR，住友化学，信越化学等企业，掌握了全球半导体光刻胶市场的90%左右份额，几乎是垄断的状态。
方正证券的报告显示，中国大陆企业在全球光刻胶领域占有率不到13%，在半导体光刻胶领域更是不足5%，完全被日本卡了脖子！
但是，进入2021年以后，中国半导体行业国产化的趋势越来越强！
首先是光刻机领域，上海微电子已经实现28nm光刻机的量产，预计2022年可以交付，这款光刻机的性能与荷兰ASML的DVU光刻机相似，可以生产14nm制程工艺的芯片。
另外，美国虽然断供了最先进的EVU光刻机，但是制程工艺相对较低的DVU光刻机却没有断供，而荷兰ASML也明确表态过，EVU光刻机也可以用于7nm工艺芯片，英特尔的10nm工艺、台积电第一个7nm芯片，都是用DVU光刻机实现。
这意味着，2022年，现有的光刻机技术或许能够提前量产华为所需的7nm芯片，打破美国封锁。
而生产7nm工艺芯片所需要的ArF光刻胶，在7月2日就已经有国外企业向南大光电订购了，这意味着半导体光刻胶原材料也实现了自主化。
另外，南大光电，容大感光、上海新阳等国内企业，也在持续研发高端光刻胶，争取在现有技术上进一步突破，追上日本的光刻胶技术。
剩下的6种完全依赖进口的原材料，国内的企业肯定也已经发现了商机，正在朝着国产化转变；最关键的两项技术突破后，中国实现手机芯片国产化的日子也就不远了。
空谈误国、实干兴邦，中国的半导体行业，正在默默地奋力追赶，一如这次南大光电突然给市场来个惊喜一样，未来还将会看到更多的一鸣惊人的突破。
中国半导体，正在以惊人的速度崛起！
作者 | 金莱
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