如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？

确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。

光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边，变化相对较缓，而间接带隙材料比较陡峭。

间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

扩展资料：

光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。

光致发光特点：

1、光致发光优点

设备简单，无破坏性，对样品尺寸无严格要求；分辨率高，可做薄层和微区分析。

2、光致发光缺点

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低温测试，需要液氦降温，条件比较苛刻；不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。

参考资料来源：百度百科--光致发光光谱

吸收谱可以通过吸收边大致判断带宽，也可以建立ahv和hv为坐标的曲线，具体还要考虑是直接带隙半导体还是间接带隙半导体，有两个公式。发光谱？你是说photoluminescence吧？就看发光峰对应的能量啊，比如500nm的峰就对应1240/500=2.48ev的光子，如果这个能量和带隙宽度差不多就是本征发光，如果低于带隙宽度的能量就是缺陷发光。

是指在强电场（一般在百伏电压）作用下，导致半导体吸收边形状的改变，及引起其折射率相应变化的现象。它是德国物理学家沃尔特·法兰兹和俄国物理学家莱奥尼德·卡尔迪西于1957-1958年间先后独立发现的。而以他们二人的名字命名。

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