半导体激光器受激辐射的激发方式主要有哪几种

半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS(砷化镓),InAS(砷化铟),Insb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励.在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器.

组成芯片的材料就是半导体，半导体介于导体与绝缘体之间，半导体有三大效应：

1、电阻效应：电阻值会随温度变化而变化，例如加热后导电。

2、光电导效应：电阻值会随光照强度变化而变化，例如光照后导电。

3、整流效应：半导体仅特定方向导电。

正是这三个效应使得半导体制成的晶体管能够将讯号电流放大，以及控制电流按特定方式通过，所以常被用作放大器或电控开关。当工厂将半导体材料制作成晶体管，然后封装在小小的硅片上时，这就是芯片，也被叫做集成电路。在看新闻、买基金产品的时候，看到的“半导体”，可以用于指材料，也可以用于指代芯片或整个产业。

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