2、封装过程为:来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后,被切割为小的晶片(Die),然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上,再利用超细的金属(金、锡、铜、铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond
Pad)连接到基板的相应引脚(Lead),并构成所要求的电路;然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护,塑封之后,还要进行一系列 *** 作,如后固化(Post
Mold
Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、电镀(Plating)以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试,通常经过入检(Incoming)、测试(Test)和包装(Packing)等工序,最后入库出货。典型的封装工艺流程为:划片→
装片→
键合→
塑封→
去飞边→
电镀
→打印→
切筋→成型→
外观检查→
成品测试→
包装出货。
3、半导体器件有许多封装形式,按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进。总体说来,半导体封装经历了三次重大革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,它极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现,满足了市场对高引脚的需求,改善了半导体器件的性能;芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装面积减到最小。
4、半导体封装形式:金属封装、陶瓷封装、金属+陶瓷封装、塑料封装(最主要的封装形式)
VB即反向崩溃电压,主要测试该产品在多大电压会崩溃,主要是考虑产品可以 *** 作在多大电压或多大电流VF即顺向电压,给一个顺向电流测起两端电压,简单的可以说是为了测试产品焊线是否正常
IR即反向电流或漏电流,给一个反向电压测其电流,漏电流应该很小才合理,一般是nA等级
TRR这个我没有用到过,不好意思
望采纳
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