芯片行业常用英文

1.CP (Chip Probing 芯片/晶片+测试/探测): 顾名思义，测试芯片的电性参数。测试的是晶圆中的每一个芯片(die)，目的是剔掉次品以减少后续封装的成本

2.CVD (chemical vapor deposition 化学气相沉积): 利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。具体的有如MOCVD（金属氧化物～）和PECVD（等离子体增强～）

3.Datasheet (规格/说明书): 总结产品、机器、部件（例如电子部件）、材料、子系统（例如电源）的性能和其他特性的文件

4.Die (芯片): 单个完整的集成电路器件

5.Eg (band gap 禁带宽度): 也叫“能带”，是固体中没有电子状态的能级范围，是决定固体材料导电特性的关键参数。具有大禁带宽度的属于绝缘体；小禁带宽度的属于半导体；没有或具有很小禁带宽度的为导体

6.FT (Final Test 出厂测试): 对封装好的芯片进行测试。通常测试项比CP要少得多，因为之前已经测过了

7.RDS(on) 导通电阻: 也简称“RDS”或者“Ron”，器件非常重要的一种特性。定义：晶体管导通后两端电压与导通电流之比。其值越大意味着电流/功率损耗越大，因此一般越小越好。

一、名词解释：

wafer：晶圆；是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形。

chip：芯片；是半导体元件产品的统称。

die：裸片 ；是硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。

二、联系和区别：

                                                            一块完整的wafer

wafer为晶圆，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片基于wafer上生产出来。Wafer上一个小块晶片晶圆体学名die，封装后成为一个颗粒。一片载有Nand Flash晶圆的wafer首先经过切割，测试后将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand Flash芯片。

                                                     die和wafer的关系

品质合格的die切割下去后，原来的晶圆成了下图的样子，是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。残余的die是品质不合格的晶圆。黑色的部分是合格的die，会被原厂封装制作为成品NAND颗粒，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。

                                                          筛选后的wafer

扩展资料：

集成电路芯片的生命历程：芯片公司设计芯片——芯片代工厂生产芯片——封测厂进行封装测试——整机商采购芯片用于整机生产。

芯片供应商IDM：是集芯片设计、制造、封装和测试等多个产业链环节于一身的企业。

芯片供应商Fabless：是没有芯片加工厂的芯片供应商，Fabless自己设计开发和推广销售芯片，与生产相关的业务外包给专业生产制造厂商。与Fabless相对应的是Foundry和封测厂，主要承接Fabless的生产和封装测试任务，封测厂有日月光，江苏长电等。

参考资料：百度百科-晶圆

百度百科-芯片

百度百科-裸片

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CCGA Ceramic Column Grid Array 陶瓷焊柱阵列

CLCC Ceramic Leaded Chip Carrier 带引脚的陶瓷片式载体

CML Current Mode Logic 电流开关逻辑

CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 互补金属氧化物半导体

COB Chip on Board 板上芯片

COC Chip on Chip 叠层芯片

COG Chip on Glass 玻璃板上芯片

CSP Chip Size Package 芯片尺寸封装

CTE Coefficient of Thermal Expansion 热膨胀系数

CVD Chemical Vapor Depositon 化学汽相淀积

DCA Direct Chip Attach 芯片直接安装

DFP Dual Flat Package 双侧引脚扁平封装

DIP Double In-Line Package 双列直插式封装

DMS Direct Metallization System 直接金属化系统

DRAM Dynamic Random Access Memory 动态随机存取存贮器

DSO Dual Small Outline 双侧引脚小外形封装

DTCP Dual Tape Carrier Package 双载带封装

3D Three-Dimensional 三维

2D Two-Dimensional 二维

EB Electron Beam 电子束

ECL Emitter-Coupled Logic 射极耦合逻辑

FC Flip Chip 倒装片法

FCB Flip Chip Bonding 倒装焊

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FEM Finite Element Method 有限元法

FP Flat Package 扁平封装

FPBGA Fine Pitch Ball Grid Array 窄节距BGA

FPD Fine Pitch Device 窄节距器件

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LSI Large Scale Integrated Circuit 大规模集成电路

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LTCC Low Temperature Co-Fired Ceramic 低温共烧陶瓷

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PTF Polymer Thick Film 聚合物厚膜

PWB Printed Wiring Board 印刷电路板

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QFP Quad Flat Package 四边引脚扁平封装

QIP Quad In-Line Package 四列直插式封装

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TBGA Tape BGA 载带BGA

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THT Through-Hole Technology 通孔安装技术

TO Transistor Outline 晶体管外壳

TPQFP Thin Plastic QFP 薄形塑料QFP

TQFP Tape QFP 载带QFP

TSOP Thin SOP 薄形SOP

TTL Transistor-Transistor Logic 晶体管-晶体管逻辑

UBM Metalization Under Bump 凸点下金属化

UFPD Ultra Small Pitch Device 超窄节距器件

USOP Ultra SOP 超小SOP

USONF Ultra Small Outline Package Non Fin 无散热片的超小外形封装

UV Ultraviolet 紫外光

VHSIC Very High Speed Integrated Circuit 超高速集成电路

VLSI Very Large Scale Integrated Circuit 超大规模集成电路

WB Wire Bonding 引线健合

WLP Wafer Level Package 圆片级封装

WSI Wafer Scale Integration 圆片级规模集成

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