半导体晶圆卡盘的常见尺寸有哪些？

半导体晶圆静电卡盘有多种形状、尺寸和材料可供选择。它们通常是圆形的，比晶圆尺寸稍大。常见的尺寸范围从直径50毫米到超过300毫米。

大多数卡盘具有圆形(同心)环真空设计，并且通常会夹持小管芯、部分晶片和整个晶片。例如，150毫米(6英寸)卡盘将具有真空环图案，允许夹持单个芯片、50毫米、75毫米、100毫米和150毫米晶圆。 硅集成器件和电路的物理尺寸对晶片器件的处理施加了一定的限制。

在这方面，我们将开始与探针站的讨论，这是处理硅片或die芯片的关键设备，并为晶片探测提供了机械力学设备。 我们会向读者介绍通常用于射频和微波器件表征的共面波导探针。 测量装置的另一个重要部分是校准衬底基板，它允许我们在实际测量之前校准设置。

最后，我们会向读者介绍由探针站及其所有附件组成的整个测量装置以及矢量网络分析仪(VNA)。 不熟悉的读者可能认为这些设备微不足道，但它们在表征过程中起着至关重要和独特的作用。

在测试装置和测量仪器之间，使用晶片探针和任何其他同轴传输介质提供信号传播手段。 对于线性器件的宽带频域表征，我们通常使用矢量网络分析仪(VNA)作为选择的仪器。 在一个单一的测量设置中连接所有上述部分可能显得微不足道，但只有那些熟练的专家才能真正理解所有的技术细节。 本文的目的是引导读者通过微波微波表征过程，并介绍必要的设备。

硅晶圆就是指硅半导体电路制作所用的硅晶片，晶圆是制造IC的基本原料。12寸晶圆就是直径12英寸的晶圆，这要说到8英寸和6英寸以及更小规格，现在晶圆的规格越来越大不是根据用途而定的，是因为晶圆做的越大。

一方面：在晶圆上制造方形或长方形的芯片导致在晶圆的边缘处剩余一些不可使用的区域，当芯片的尺寸增大时这些不可使用的区域也会随之增大，为了弥补这种损失，半导体行业采用了更大尺寸的晶圆；另一方面应该会提升生产效率！

12寸晶圆用途很广泛，这个根据不同设计方案，晶圆是根据设计而定制的，比较通用的包括CPU，GPU，内存，手机芯片，电源驱动芯片。

当然工艺的纳米级也是制程的另外一个参数和晶圆大小没有必然联系，晶圆大小只是跟上述所说的增大利用率和提升生产效率！这样说8寸晶圆同样可制造出上述不同IC，无论是几寸晶圆有时候一个晶圆上会含有多种芯片！

扩展资料：

目前业界所谓的6寸，12寸还是18寸晶圆其实就是晶圆直径的简称，只不过这个寸是估算值。实际上的晶圆直径是分为150mm，300mm以及450mm这三种，而12_约等于305mm，为了称呼方便所以称之为12_晶圆。

国际上Fab厂通用的计算公式：一定有公式中π*（晶圆直径/2）的平方不就是圆面积的式子吗？再将公式化简的话就会变成：X就是所谓的晶圆可切割晶片数（dpwdieperwafer）。

参考资料来源：百度百科-晶圆

参考资料来源：百度百科-硅晶圆

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