翱捷科技上市进度

1、翱捷科技此次发行的保荐机构为海通证券股份有限公司，保荐代表人为王鹏程、龚思琪。这是海通证券今年保荐成功的第10单IPO项目。此前，1月28日，海通证券保荐的咸亨国际科技股份有限公司过会；2月8日，海通证券保荐的武汉中科通达高新技术股份有限公司过会；3月11日，海通证券保荐的内蒙古大中矿业股份有限公司过会；4月15日，海通证券保荐的东芯半导体股份有限公司过会；4月22日，海通证券保荐的南通超达装备股份有限公司过会；4月30日，海通证券保荐的陕西斯瑞新材料股份有限公司过会；5月6日，海通证券保荐的江苏利柏特股份有限公司过会；5月26日，海通证券保荐的浙江卓锦环保科技股份有限公司过会；6月16日，海通证券保荐的宁波均普智能制造股份有限公司过会。

2、翱捷科技是一家提供无线通信、超大规模芯片的平台型芯片的企业。公司自设立以来一直专注于无线通信芯片的研发和技术创新，同时拥有全制式蜂窝基带芯片及多协议非蜂窝物联网芯片研发设计实力，且具备提供超大规模高速SoC芯片定制及半导体IP授权服务能力。公司各类芯片产品下游应用场景广阔，可应用于以手机、智能可穿戴设备为代表的消费电子市场及以智慧安防、智能家居为代表的智能物联网市场。截至招股说明书签署日，翱捷科技无控股股东，实际控制人为戴保家。戴保家直接持有公司9.36%的股份，并通过其控制的公司员工持股平台宁波捷芯、GreatASR1Limited、GreatASR2Limited合计控制公司24.36%的表决权，系公司实际控制人。

3、翱捷科技在上交所科创板上市，本次拟发行不低于4183.01万股，不低于发行后总股本的10%。公司此次拟募集资金238，000.00万元，其中106，255.12万元用于新型通信芯片设计，24，863.69万元用于智能IPC芯片设计项目，29，613.06万元用于多种无线协议融合、多场域下高精度导航定位整体解决方案及平台项目，17，268.13万元用于研发中心建设项目，60，000.00万元用于补充流动资金项目。

中国氮化镓生产十大企业如下：

1、中国苏州能讯

2007年成立，能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。

产品：氮化镓射频功率晶体管、无线通信氮化镓射频功放管、氮化镓HEMT管。

芯技术和应用：能讯氮化镓功放管产品在宽带信号下输出高效率和高增益，应用简单，适合LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。

氮化镓HEMT管芯可支持客户DC-6GHz以内的超宽带应用，功率密度、效率及可靠性业内领先，适合应用于紧凑型射频放大模块、通用或个人通讯子系统。

2、苏州晶湛

2012年成立，位于苏州纳米城，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。 截至目前，晶湛半导体已完成A+轮融资，用于扩大生产规模。

产品：GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire。

技术及应用：硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。应用于微波射频和电力电子领域；目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。

3、珠海英诺赛科

成立于2015年12月，引进美国英诺赛科公司SGOS技术。

产品：单管GaN FET，半桥GaN FET、GaN IC。

技术及应用：8英寸硅基氮化镓产业化平台，具有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造、自有可靠性测试与失效分析能力。应用于激光雷达、无线充电和快充、数据中心、5G通信、人工智能、新能源汽车。

4、重庆华润微

2000年成立，以销售额计，公司是2018年前十大中国半导体企业中唯一一家以IDM模式为主运营的半导体企业。

产品：8英寸硅基氮化镓生产线，国内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品技术及应用：聚焦于功率半导体、智能传感器领域，为客户提供系列化的半导体产品与服务。

5、杭州士兰微

成立于1997年9月，总部在中国杭州。

2003年上市产品：国内知名IDM企业，建设6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。

6、重庆聚力成

2018年9月成立，于重庆市大足区建设硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片基地。

产品：GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶圆材料、GaN功率器件。

技术及应用：目前，GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段，整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线。

7、台湾积体电路制造

成立于1987年，2019年，台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过一千二百万片十二吋晶圆约当量。

产品技术：6英寸的GaN-on- Si。

8、三安集团

于2000年11月成立，坐落于厦门。

产品：650V 0.5um GaN/Si，200V/100V0.5um GaN/Si。

技术及应用：三安集成的氮化镓（GaN）E-HEMT技术服务于消费者和工业应用，如适配器／充电器，电信／服务器smp，无线电源，车载充电器（OBC)和成本有效的解决方案。

9、苏州捷芯威

成立于2013年，海外归国人员创办于苏州工业园区，捷芯威子公司在氮化镓电力电子技术领域，拥有百余项国内外发明专利。专利布局包括材料、器件、工艺和应用；区域覆盖中国、美国、欧洲、日本等。

产品：硅基氮化镓电力电子器件、蓝宝石基氮化镓电力电子器件技术及应用：650V GaN FET，其BVds≥650V，Ids＞10A，导通电阻Ron＜0.15Ω。可以应用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电能传输、电源适配器、无线电源和快充领域。

单管耐压超过2000V的蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V，开态时导通电阻低于1Ω，且关态时漏电低于1uA/mm。

10、大连芯冠

2016年3月17日成立于大连高新区，公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式。

产品：硅基氮化镓外延片、硅基氮化镓电力电子器件。

技术及应用：已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。

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