陈星弼院士是谁？

　九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。

陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为"高压功率器件新的里程碑"。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。

陈星弼曾获得诸多荣誉，包括国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

中科院物理研究所硕士生导师介绍:陈弘

简历：1984年西安交通大学电子工程系半导体器件专业毕业，获得学士学位，1992年中国科学院物理研究所获得博士学位，1992年至今从事分子束外延和MOCVD半导体材料生长及结构与物性研究。1996年～1997年香港科技大学访问工作，从事电镜研究。在国外主要刊物上发表论文40多篇，申请专利7项。现为物理所新型化合物半导体材料和物性研究课题组长。

主要研究方向：GaN基材料的MOCVD生长及物性研究，GaN基材料在发光二极管、激光器、紫外探测器、微电子方面的应用研究。我们课题组将在GaN基材料的物性研究和应用方面作出有特色的工作。

过去的主要工作及获得的成果：

1.发明了一种新的SiGe生长技术。采用低温Si作为应力释放的牺牲层的方法得到了位错密度低于106cm-2的完全弛豫的SiGe层。

2.对GaAs（001）衬底上生长GaN薄膜的相结构的控制进行了系统的研究，提出了完全不同于国外已经报道的影响GaN外延层相结构的生长机制如氮化及其温度和时间、As压的使用等。

3.在GaN基发光二极管外延片的研究中解决了大失配外延，量子阱的生长，发光二极管的结构的生长和设计的问题。GaN HEMT的研究解决了GaN的半绝缘和AlGaN的生长和HEMT的结构优化。承担了863、科学院创新重要方向、973和基金等课题。

目前的研究课题及展望：目前承担863课题“GaN基发光二极管的外延生长和器件工艺研究”，973和科学院创新工程重要方向课题“GaN基HEMT外延材料研究”，973课题“GaN基紫外探测器外延材料的研究”和基金课题“GaN基发光二极管的发光机理研究”。

2 陈弘，华东师范大学澳大利亚研究中心主任、新西兰研究中心主任、外语学院英语系高年级教研主任、中国澳大利亚研究学会副会长、中国跨文化交际学研究会上海分会亚太文化比较研究中心主任、《中国澳大利亚研究通讯》执行副主编。主要研究方向包括澳大利亚研究、新西兰研究、亚太问题研究、文学研究和文化研究。主要成果包括专著《当代澳大利亚社会》、《从孤立走向世界：澳大利亚文化简论》、《澳大利亚文学批评》等，编著《英国散文选读》、《英汉澳大利亚英语词典》、《澳洲之旅》、《英国艺术家随笔》、《汉英新词语词典》、《英语·师范院校英语专业用》第7册（教师用书）、《汉英大辞海》和《全球化时代亚太地区文化多样性与市民社会》等，译著《巴斯德传》、《南丁格尔传》和《无边的曼荼罗：帕特里克·怀特传》等，以及论文10余篇、译文数十篇。近年来屡获澳大利亚外交外贸部所属澳中理事会、澳大利亚国际教育发展署和澳大利亚La Trobe大学基金在澳大利亚从事访问研究和讲学。

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