半导体的载流子是如何形成的？

当温度升高或者会受光照时，由于半导体的共价键中的价电子并不像绝缘体那样束缚的很紧，所以，价电子从外界获得能量，少说价电子会挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来共价键相应的位子上多出了带正电的空穴。而上面我们提到的自由电子和空穴就是半导体的载流子。

本征半导体中的载流子都是由本征激发所产生的,一般数量不多（随温度而指数函数式增大）. 但是,掺入施主杂质或者受主杂质以后,则杂质可提供大量的电子或者空穴,这就是多数载流子；这时,还是存在少数载流子,那就是本征激发出来的一些载流子.

ITO载流子主要来源Sn4+。

在高温下沉积或进行过退火工艺的ITO薄膜中，Sn4+对In3+的取代产生的电子成为载流子的主要来源。

ITO在一般情况下为体心立方铁锰矿结构，是基于In2O3晶体结构的掺杂，In2O3中In原子是六配位，O原子是四配位，In2O3晶体结构中本征缺位氧缺位和Sn4+替代In位两种机制共同贡献了大量自由电子，因此ITO为n型半导体，载流子浓度在1021/cm3左右，为重掺杂。

透明导电氧化物TransparentConductiveOxide，TCO是一种在可见光光谱范围380nm <λ＜780nm透过率很高且电阻率较低的薄膜材料，TCO薄膜材料主要有CdO，In2O3，SnO2和ZnO等氧化物及其相应的复合多元化合物半导体材料。

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