中国半导体行业何时才能超越台积电，制造出属于自己的中国芯？

制造出属于自己的中国芯，估计再过20年吧。中芯国际最早在2035年才能追平台积电，让中国就有了自己的3纳米以下芯片，和美国、韩国以及中国台湾也有的并非自己的3纳米以下芯片同为全球顶级，中国不再只有7、5纳米这样的属于自己的芯片；至少再过5年才能超越台积电，独自登顶全球芯片制造，让中国独有了属于自己的1纳米以下芯片。

这样估计，是不是乐观了？只要中国半导体行业坚定不移地推动国内芯片企业自立自强，绝不满足于搞定14纳米以及28纳米“全国产”之后能生产80%以上的芯片，绝不干等着美国及其盟国盟友回心转意，包括把中芯国际移除实体清单、让阿斯麦向中芯国际出售EUV光刻机，就有望在不到20年的时间里先追平、再超越，创造出一国有了自己的先进和领先高端芯片这样的奇迹，全球芯片制造有史以来的第一例，大不了用20以上的时间！

中芯国际超越台积电就是中国半导体行业超越“美国及其盟国盟友半导体行业”。也就是一国的芯片技术链产业链供应链领先于全球，关键是整体自主、全面可控，设计出的、制造出的、封装好的全球顶级芯片都是中国自己的，连设计所依托的全球顶级芯片架构和EDA软件都是中国自己的，芯片制造所依托的全球顶级光刻机以及其他工艺设备、原材料、配件等还是中国自己的。

从此，哪个环节和领域的中国芯片企业就都不会再出现被卡脖子的情况，美国及其盟国盟友根本就没有这样的机会了。当然，中国不会去卡别国包括美国及其盟国盟友的芯片企业的脖子，而是一如既往、不计前嫌地推动国内芯片企业去主动积极地提供最好的服务，其结果将是提升全球供应链的水平。

7nm不是工艺极限，而是物理极限。要做个小于7nm的器件并不难，大不了用ebeam lith。但是Si晶体管小于7nm，隔不了几层原子，遂穿导致漏电问题就无法忽略，做出来也没法用。

芯片上集成了太多太多的晶体管，晶体管的栅极控制着电流能不能从源极流向漏极，晶体管的源极和漏极之间基于硅元素连接。随着晶体管的尺寸逐步缩小，源极和漏极之间的沟道也会随之缩短，当沟道缩短到一定程度时，量子隧穿效应就会变得更加容易。

晶体管便失去了开关的作用，逻辑电路也就不复存在了。2016年的时候，有媒体在网络上发布一篇文章称，“厂商在采用现有硅材料芯片的情况下，晶体管的栅长一旦低于7nm、晶体管中的电子就很容易产生量子隧穿效应，这会给芯片制造商带来巨大的挑战”。所以，7nm工艺很可能，而非一定是硅芯片工艺的物理极限。

现在半导体工业上肯定是优先修改结构，但是理论上60mV/decade这个极限是目前半导体无法越过的。真正的下一代半导体肯定和现在的半导体有着完全不同的工作原理，无论是TFET还是MIFET或者是别的什么原理，肯定会取代目前的半导体原理。

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难点以及所存在的问题

半导体制冷技术的难点半导体制冷的过程中会涉及到很多的参数，任何一个参数对冷却效果都会产生影响。实验室研究中，由于难以满足规定的噪声，就需要对实验室环境进行研究。半导体制冷技术是基于粒子效应的制冷技术，具有可逆性。所以，在制冷技术的应用过程中，冷热端就会产生很大的温差，对制冷效果必然会产生。

其一，半导体材料的优质系数不能够根据需要得到进一 步的提升，这就必然会对半导体制冷技术的应用造成影响。

其二，对冷端散热系统和热端散热系统进行优化设计，依然处于理论阶段，没有在应用中更好地发挥作用，这就导致半导体制冷技术不能够根据应用需要予以提升。

其三，半导体制冷技术对于其他领域以及相关领域的应用存在局限性，所以，半导体制冷技术使用很少，对于半导体制冷技术的研究没有从应用的角度出发，就难以在技术上扩展。

其四，市场经济环境中，科学技术的发展，半导体制冷技术要获得发展，需要考虑多方面的问题。重视半导体制冷技术的应用，还要考虑各种影响因素，使得该技术更好地发挥作用。

尽管有种种挑战，半导体技术还是不断地往前进步。分析其主要原因，总括来说有下列几项。

先天上，硅这个元素和相关的化合物性质非常好，包括物理、化学及电方面的特性。利用硅及相关材料组成的所谓金属氧化物半导体场效晶体管，做为开关组件非常好用。此外，因为性能优异，轻、薄、短、小，加上便宜，所以应用范围很广，可以用来做各种控制。换言之，市场需求很大，除了各种产业都有需要外，新兴的所谓 3C 产业，更是以 IC 为主角。

因为需求量大，自然吸引大量的人才与资源投入新技术与产品的研发。产业庞大，分工也越来越细。半导体产业可分成几个次领域，每个次领域也都非常庞大，譬如 IC 设计、光罩制作、半导体制造、封装与测试等。其它配合产业还包括半导体设备、半导体原料等，可说是一个火车头工业。

因为投入者众，竞争也剧烈，进展迅速，造成良性循环。一个普遍现象是各大学电机、电子方面的课程越来越多，分组越细，并且陆续从工学院中独立成电机电子与信息方面的学院。其它产业也纷纷寻求在半导体产业中的应用，这在全世界已经变成一种普遍的趋势。

总而言之，半导体技术已经从微米进步到纳米尺度，微电子已经被纳米电子所取代。半导体的纳米技术可以代表以下几层意义：它是唯一由上而下，采用微缩方式的纳米技术；虽然没有革命性或戏剧性的突破，但整个过程可以说就是一个不断进步的历程，这种动力预期还会持续一、二十年。

此外，组件会变得更小，IC 的整合度更大，功能更强，价格也更便宜。未来的应用范围会更多，市场需求也会持续增加。像高速个人计算机、个人数字助理、手机、数字相机等等，都是近几年来因为 IC 技术的发展，有了快速的 IC 与高密度的内存后产生的新应用。由于技术挑战越来越大，投入新技术开发所需的资源规模也会越来越大，因此预期会有更大的就业市场与研发人才的需求。

半导体器件有许多封装型式，从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进，这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。总体说来，它大概有三次重大的革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩正封装的出现，它不但满足了市场高引脚的需求，而且大大地改善了半导体器件的性能；晶片级封装、系统封装、芯片级封装是第三次革新的产物，其目的就是将封装减到最小。每一种封装都有其独特的地方，即其优点和不足之处，而所用的封装材料，封装设备，封装技术根据其需要而有所不同。驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。