需要三个变则拿搭量，程敏行序如下所示：void write_buf(u32 addr,u8 *p,u16 n){u32 r1n=n4擦除并写flashFLASH_Unlock()FLASH解锁孙拿FLASH_ClearFlag(

eeprom的擦除，拿到该eeprom的spec，根据说明是写全FF还是0擦除就好了，前提是你的i2c是清拦做已经通了的，这块应该没有任何难度，答衡仔细看手册吧，玩单片机和衡派arm就是这样！望采纳！1、打开STM32CubeMX软件，选中

正在检测目标单片机 ... 单片机型号: STC89C52RCLE52RC固件版本号: 4.3C当前芯片的硬件选项为:. 当前的时钟频率: 11.956MHz. 系统频率为12T(单倍速)模式. 振荡器的放大增益不降低

1、烧写程序是将写好的程序编译好形成HEX或BIN文件后，将这个程序写进单片机芯片的过程就叫烧写，是沿用最早的单片核源茄机只能一次性写裂斗入，因此就叫做烧写，后来有了紫外线可擦除的EEPROM。2、现在有了可随时擦除的FLASHROM，但依

单片机烧录不进程序因为：单片机保存程序是使用EEPROM或者flash的，都需要先擦除，才能写入的。第一次能烧进去，是因为单片机出场时本来就是已擦除过的，可以写入。但之后的写入之前，都需要先擦除。串口线是否可靠（点击 计算机--》管理--

不对。根据查询相关公开信息显示，ATMega16不需要 *** 作系慧告统，直接运行用户自行编写的程序，具有很好的兄高个体性，eeprom不是用来存储需要执行的程序的。ATmega16是基于增强的AVRRISC结构的低功耗8位前尘明CMOS微控制器

单片机烧录不进程序因为：单片机保存程序是使用EEPROM或者flash的，都需要先擦除，才能写入的。第一次能烧进去，是因为单片机出场时本来就是已擦除过的，可以写入。但之后的写入之前，都需要先擦除。串口线是否可靠（点击 计算机--》管理--

　ST官方不是提供了例程和应用手册了吗，你可以好好的看一下官方的程序。要在stm8l15x.h中使能RAM_EXECUTION宏，见stm8l15x_flash.c中的文档：　世弯　- For IAR Compiler:1- Use the

是java开发工具和运行环境第七版第四个更新升级包，一般是装了jdk或者jre就会自动下载升级包。java更新的方法步骤：闷消兆1、选择开始；2、打开所有程序；3、点开java文件蚂租夹；4、选择检桥激查更新即可。1、进入主板官网。2、搜

随便搞个程序再刷下一遍就好了。arduinoIDE里，没有把专门擦除的 *** 作弄出来，只是下载程序前进行一次擦除动作。其实arduino的下腔侍载程序包括了：擦除+刷写+校验。arduino用是avr芯片，对芯片 *** 作用的avrdude这个塌圆吵

通过flash驱动提供接口进行读写，而且flash的读写不是你想的可以按字节来读，而是按flash的pagesize大小来的，而且擦除只能按block擦除一般通用的可以使用mtdutils这个软件包交叉编携孙译，它有提供nanddump

这个问题可能是由于你的单片机系统受到干穗启慎扰造成的，解决的办法就是：旁升1、合理设计硬件系猜敬统，采取相应的抗干扰措施，合理设计PCB布线；2、从软件上采取措施，启动单片机自带的看门狗，设置软件陷井，在程序跑飞时主系统自动复位。struc

通过flash驱动提供接口进行读写，而且flash的读写不是你想的可以按字节来读，而是按flash的pagesize大小来的，而且擦除只能按block擦除一般通用的可以使用mtdutils这个软件包交叉编携孙译，它有提供nanddump

这个问题可能是由于你的单片机系统受到干穗启慎扰造成的，解决的办法就是：旁升1、合理设计硬件系猜敬统，采取相应的抗干扰措施，合理设计PCB布线；2、从软件上采取措施，启动单片机自带的看门狗，设置软件陷井，在程序跑飞时主系统自动复位。struc

Fisrt part ：NAND flash和NOR flash的不同NOR flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。NAND flash使用复杂的IO口来穿行地存取数据。8

struct FlashDevice const FlashDevice={ FLASH_DRV_VERS,Driver Version, do not modify! "SPIFlash",

Fisrt part ：NAND flash和NOR flash的不同NOR flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。NAND flash使用复杂的IO口来穿行地存取数据。8

在写flash之前需要对相应的扇区进行擦除，否则数据就会出错。因为430的flash是“与颤颤”结构，只能通过向某一位写0将该位拉低，比如复位值是0xFF，先写入0x0F将高4位变成0，如果不擦除（即将该位重新置为0xFF）再向该地址写入0

“难道布线会影响到SRAM的速度”会影响到确保SRAM稳定存取的最高速度。太烂的布线甚至会直接导致设计失败。“这又不是模拟电路，是数字电路，干嘛还对布线要求那么高”用你的小脑袋瓜想一想，什么是“数字”？5块钱算少，10块钱算多，我拿一把硬币