氮化镓（GaN）为便携式产品提供更小、更轻、更高效的台式AC-DC电源。氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料。当在电源中使用时，GaN比传统的硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量。传统硅晶体管的损耗有两类，传导损耗和开关损耗。功率晶体

光导纤维的主要成分是二氧化硅。直到1960年，美国科学家Maiman发明了世界上第一台激光器后，为光通讯提供了良好的光源。随后二十多年，人们对光传输介质进行了攻关，终于制成了低损耗光纤，从而奠定了光通讯的基石。从此，光通讯进入了飞速发展的阶

为了获得更高的转换效率，降低功率损耗，我们需要知道在能量转换过程中哪些地方损耗掉了，尽可能的降低这部分能量的损耗才能进一步提升效率。提高开关电源效率的常见方法是降低开关电源的功率功耗，包括由半导体开关、磁性元件和布线等的寄生电阻所产生的固定

介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参

1、如果输送容量大、距离远,可以选用超、特高压（电压越高,在输送相同容量的条件下线路损耗越小）.缺点是建设投资增大.2、优化电源点和线路、变电所布局,使电网结构更合理；在电网内采用合适的电压等级及其梯度,从而使综合供电效率最高.需要超前的规

mos管的作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关

氮化镓（GaN）为便携式产品提供更小、更轻、更高效的台式AC-DC电源。氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料。当在电源中使用时，GaN比传统的硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量。传统硅晶体管的损耗有两类，传导损耗和开关损耗。功率晶体

①根据UPS的出场参数，看看直流总电压是多少，然后接入方式是分几个头子进UPS。打个比方，山特C2KS，直流电压72V，就需要6块蓄电池（一块是12V），一个输入头，一组即可。APCSURT10K长机，直流电压384V，需要32块蓄电池，两

　氮化镓主要还是用于LED（发光二极管），微电子（微波功率和电力电子器件），场效电晶体(MOSFET)。在被称作发光二极管的节能光源中，氮化镓已经使用了数十年。在一些平凡的科技产品，如蓝光碟片播放器里，氮化镓也有应用。但耐热和耐辐射的特性，

TP2及TP3是接地的，TP的意思是测试点（test point），单独从电路板中引出便于测试，（因为电路板有时因为屏蔽或者放置的位置等原因不便于测量到一些点），当然在原理图上可以不标出，实际电路中也不一定非得有，看情况了；TP1连接的本身

UPS（紫外光电子能谱仪）是一种用于分析物质的表面化学成分和电子结构的仪器。要得到带隙和导带价带，需要进行以下步骤：1. 收集样品：准备需要分析的样品，并将其放在UPS样品盘上。2. 运行UPS：启动UPS仪器，让紫外光照射到样品表面。紫外

在稳压电路中,三极管(调整管)工作在大电流放大状态,通过输出取样电压与基准电压比较得出差压控制三极管的放大状态,,迫使其加深导通或关闭,达到稳压的目的.在振荡电路中,三极管是起反馈放大作用,以补充LC电路中的阻尼消耗,维持振荡继续,在开关电

左二就是FC，FC指的是光纤跳线连接头的类FC（ferrule contactor）型：圆形带螺纹，常用于用于光纤配线架UPC是光纤端面的研磨方式UPC (Ultra Physical Contact)，超物理端面。UPC连接器端面并不是

band gap emission带隙排放例句释义:全部1.In chapter 4, the stress effect on the near band gap emission of ZnOnanowires is investiga

mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。MOSFET，全称是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，还可以称作MOS、MOS管，中文是金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种通过

半导体制造工厂，一般使用的UPS都是带大功率生产线的，所以容量都很大，这些大型的UPS价格比较贵，而保修期一般不超过三年。若在保修期之外故障，只能找厂家解决，费用非常高。所以UPS用户都愿意选择维保服务；维保价格的高低应考虑UPS已使用多少

介质损耗因数受哪些因素影响？影响介质损耗因数测量结果的因素如下:(1)温度的影响。温度对tanδ有直接影响，其程度因绝缘材料和设备结构而异。一般来说，tanδ随着温度的升高而增加。为了便于比较，应将不同温度下测得的tanδ值换算成20℃

低压输入相位 单相 规格 1mVA-150mVA 2.5VA-1000VA 输入电压 1φ 60V3V 3φ 频率 5060Hz 连接制式 Y△任益组合效率 ≥98% 绝缘等级 A过载能力 允许1.2倍额定负载2小时. 噪声 ≤5dB

目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插